氧化镓半导体器件

图书标准信息

• 作者 龙世兵
• 出版社 西安电子科技大学出版社
• 出版时间 2022-09
• 版次 1
• ISBN 9787560664309
• 定价 128.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 408页
• 字数 431千字

【内容简介】

本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料，在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章，第1~4章（氧化镓材料部分）介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容；第5~7章（氧化镓器件部分）介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程，氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向，氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。
  本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高等院校的教师、研究生、高年级本科生的参考书和工具书，也可作为其他对氧化镓宽禁带半导体器件感兴趣的研究人员的参考资料。

【目录】

章氧化镓材料简介

1.1氧化镓晶体结构

1.2氧化镓发展历程

1.2.1氧化镓单晶的发展

1.2.2氧化镓薄膜外延的发展

1.2.3氧化镓器件的发展

参文献

第2章氧化镓的电学特

2.1施主杂质与受主杂质

2.1.1半导体中的杂质和载流子液度

2.1.2氧化镓中的施主杂质

2.1.3氧化镓p型掺杂

2.2电子-声子相互作用

2.2.1玻耳兹曼输运方程

2.2.2声学声子散

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