《半导体学报 1980 第一卷 3》硅中杂质能级的理论计算、非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究、Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响、铒离子注入的硫化锌的退火研究、椭圆偏光法研究砷离子注入硅的损伤、平面扩散砷化镓变容管.......
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责任人/主编《半导体学报》编辑委员会
出版单位科学出版社
期号1980-08 第 3 期
语言中文
开本16开
货号z2024-9-15-26
上书时间2024-09-15
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