《半导体学报 1980 第一卷 2》分区变分法及其在能带计算中的应用、硅反型层中的Anderson转变、结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析、一种平面型GaAs场效应晶体管、功能丰富的逻辑分析器设计、一种新颖的无显影光刻技术、铝对硅外延层的吸杂现象.......
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六品
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责任人/主编《半导体学报》编辑委员会
出版单位科学出版社
期号1980-05 第 2 期
语言中文
开本16开
货号z2024-9-15-25
上书时间2024-09-15
商品详情
- 品相描述:六品
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书脊破损。
- 商品描述
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88页(页是单面/已上图6幅)。见图原物为准。
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