• 《半导体学报 1980 第一卷 2》分区变分法及其在能带计算中的应用、硅反型层中的Anderson转变、结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析、一种平面型GaAs场效应晶体管、功能丰富的逻辑分析器设计、一种新颖的无显影光刻技术、铝对硅外延层的吸杂现象.......
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《半导体学报 1980 第一卷 2》分区变分法及其在能带计算中的应用、硅反型层中的Anderson转变、结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析、一种平面型GaAs场效应晶体管、功能丰富的逻辑分析器设计、一种新颖的无显影光刻技术、铝对硅外延层的吸杂现象.......

30 六品

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浙江温州
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责任人/主编《半导体学报》编辑委员会

出版单位科学出版社

期号1980-05 第 2 期

语言中文

开本16开

货号z2024-9-15-25

上书时间2024-09-15

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