《半导体学报 1980 第一卷 1》多声子复合理论中绝热近似是否失效的问题、用简并双模腔测量微波霍耳迁移率、非均匀掺杂 P-型GaAs红外等离子体反射光谱的计算、一种显示 N+-GaAs多种缺陷的阳极腐蚀法、一种由实验数据较准确计算内建电势的方法.......
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浙江温州
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责任人/主编《半导体学报》编辑委员会
出版单位科学出版社
期号1980-02 第 1 期
语言中文
开本16开
货号z2024-9-15-24
上书时间2024-09-15
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