模拟与超大规模集成电路(第3版)
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九品
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作者[美]陈惠开 著;杨兵、张锁印 译
出版社国防工业出版社
出版时间2013-11
版次3
装帧平装
货号5-4
上书时间2024-05-14
商品详情
- 品相描述:九品
图书标准信息
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作者
[美]陈惠开 著;杨兵、张锁印 译
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出版社
国防工业出版社
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出版时间
2013-11
-
版次
3
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ISBN
9787118090055
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定价
118.00元
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装帧
平装
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开本
16开
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纸张
胶版纸
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页数
516页
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正文语种
简体中文
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丛书
高新科技译丛
- 【内容简介】
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电路和滤波器手册系列首次出版后又有了新的突破。它迅速成为可以被立即采用的全面覆盖重要问题和实用信息的资源。编者陈惠开教授不满足于第1版的成功。在更新的第2版中使得《模拟与超大规模集成电路(第3版)》中的信息更容易理解。这些内容已经进行了修改、更新和扩充,使它们能够通过标准的示例和启发性的观点对新兴技术继续提供立体的覆盖。
《模拟与超大规模集成电路(第3版)》汇集了国际上的学者提供的最新的有关模拟和VLSI电路的信息,省略了大量的理论和公式推导,以利于在每章提供更多的例子。第一部分的内容侧重于模拟集成电路。提供最新的分立器件模型、模拟电路单元、高性能模拟电路、射频通信电路和PLL电路的知识。在书的后半部分,由知名学者提供了VLSI电路的最新发现,包括数字电路、数字系统和数据转换器。
- 【目录】
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第一部分模拟集成电路
第1章单器件模型
1.1双极型晶体管
1.1.1Ebers-Moll模型
1.1.2Gummel-Poon模型
1.1.3双极型晶体管的电流增益
1.1.4大电流现象
1.1.5小信号模型
1.1.6工艺
1.1.7模型参数
1.1.8锗硅异质结双极型晶体管(SiGeHBT)
1.2金属-氧化物-硅场效应晶体管
1.2.1引言
1.2.2沟道电荷
1.2.3伏-安特性
1.2.4晶体管的电容
1.2.5小信号工作
1.2.6基于设计的分析策略
1.3JFET,MESFET和HEMT技术与器件
1.3.1引言
1.3.2硅JFET器件工作原理和技术
1.3.3化合物半导体FET工艺
1.3.4结论
1.4无源器件
1.4.1电阻
1.4.2电容
1.4.3电感
1.5模拟集成电路中芯片的寄生效应
1.5.1互连寄生效应
1.5.2压焊点和封装寄生参数
1.5.3寄生参数测量
第2章模拟电路单元
第3章高性能模拟电路
第4章射频通信电路
第5章锁相环(PLL)电路
第6章电抗脉冲形成网络的合成
第二部分超大规模集成电路
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