掺杂GaN纳米线制备技术

图书标准信息

• 作者 李恩玲 著；崔真；吴辉
• 出版社 冶金工业出版社
• 出版时间 2023-10
• 版次 1
• ISBN 9787502496401
• 定价 72.00元
• 装帧 其他
• 开本 其他
• 页数 168页
• 字数 205千字

【内容简介】

本书共分9章，主要内容包括各种元素掺杂CaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外，还介绍了AIN包覆CaN纳米线的制备及表征，分析了AIN包覆GaN纳米线的形成机理。该书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的工艺，以便读者更好地了解该书的内容。

本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读。也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书。

【目录】

1绪论

1.1纳米材料概述

1.2GaN材料概述

1.2.1物理性质

1.2.2化学性质

1.2.3电学性质

1.2.4光学特性

1.3GaN纳米线的合成方法

1.3.1分子束外延法

1.3.2金属有机化学气相沉积法

1.3.3氢化物输运气相外延生长法

1.3.4模板生长法

1.3.5激光烧蚀法

1.3.6氧化物辅助生长法

1.3.7化学气相沉积法

1.3.8溶胶-凝胶法

1.4纳米线的生长机制

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