• 半导体器件原理简明教程(第2版)
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半导体器件原理简明教程(第2版)

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作者傅兴华[等]主编

出版社科学出版社

ISBN9787030749482

出版时间2023-03

版次2

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

页数284页

字数443千字

定价69元

货号SC:9787030749482

上书时间2024-11-01

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商品描述
内容简介:
本书在简要介绍半导体物理知识的基础上,讨论了pn结、双极型晶体管、结型场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件、其他半导体器件的基本结构、基本工作原理和基本分析方法。本书语言简明、物理概念清楚,可作为高等院校电子信息类相关专业半导体器件原理课程的教材,也可供有关科研人员和工程技术人员参考。

目录:
第1章半导体物理基础1

1.1晶体结构1

1.2能带结构6

1.3半导体中载流子的统计分布9

1.4载流子的漂移运动16

1.5载流子的扩散运动21

1.6非平衡载流子24

1.7半导体基本方程32

习题33

第2章pn结36

2.1pn结的形成及其单向导电性36

2.2pn结空间电荷区基本特性38

2.2.1平衡pn结的能带结构和载流子分布38

2.2.2非平衡pn结的能带结构和载流子分布40

2.2.3pn结的电场和电势分布44

2.3pn结的直流特性47

2.3.1非平衡pn结扩散区的载流子分布和扩散电流47

2.3.2pn结的势垒复合电流和产生电流48

2.3.3正偏pn结的大注入效应50

2.4pn结的耗尽层电容52

2.5pn结的小信号交流特性53

2.5.1pn结的扩散电容53

2.5.2pn结的交流参数和等效电路56

2.6pn结的开关特性56

2.7pn结的击穿58

2.7.1击穿机理概述58

2.7.2雪崩击穿条件60

2.7.3雪崩击穿电压的计算62

习题64

第3章双极型晶体管66

3.1双极型晶体管的基本结构66

3.2双极型晶体管内载流子的输运过程67

3.3双极型晶体管的电流放大系数70

3.3.1均匀基区晶体管的电流增益因子的简化推导70

3.3.2均匀基区晶体管电流增益因子的数学推导72

3.3.3缓变基区晶体管的电流放大系数7
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