占"新"为民
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作者中国科学院半导体研究所编
出版社科学出版社
ISBN9787030591067
出版时间2018-11
版次1
装帧平装
开本其他
纸张胶版纸
页数644页
字数1380千字
定价480元
货号SC:9787030591067
上书时间2024-10-30
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商品详情
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内容简介:
本书梳理和总结了中国科学院院士、半导体材料及材料物理学家王占国院士近60年从事半导体材料领域科研活动的历程。主要包括王占国院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研和工作事迹、回忆文章、获授奖项以及育人情况等内容。王占国院士是我国有名的半导体材料及材料物理学家，对推动我国半导体材料科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。
目录:
序
第一篇 自传
幼年时光
插曲
初入小学
远足与讲演
夜“逃”红军
崭新的小学生活
侯集镇的3年初中生活
夜惊
雪夜宿房营
入伙
紧张有趣的课外活动
南阳第二高中
只身北上南开求学
胆战心惊的高等数学课
共产主义暑假
毛主席视察南开大学
3年困难时期的大学生活
早期科研工作概述
什刹海黑夜救同事
天津小站劳动锻炼
1978年中国物理学会年会趣事
变温霍尔系数测量系统建设
留学瑞典隆德大学固体物理系
1984年回国后的研究工作
第二篇 论著选编
硅的低温电学性质
Evidence that the gold donor and acceptor in silicon are two levels of the same defect
Optical properties of iron doped AlxGal1-x As alloys
Electronic properties of native deep-level defects in liquid-phase epitaxial GaAs
Direct evidence for random-alloy spliUing of Cu levels in GaAs1-xPx
Acceptor associates and bound excitons in GaAs：Cu
Localization of excitons to
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