光学光刻和极紫外光刻
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作者(德)安迪·爱德曼
出版社上海科学技术出版社
ISBN9787547857205
出版时间2023-01
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数340页
字数400千字
定价195元
货号SC:9787547857205
上书时间2024-10-25
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商品详情
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作者简介:
安迪·爱德曼（Andreas Erdmann)，国际光学工程学会（SPIE）会士，德国弗劳恩霍夫协会（Fraunhofer）下属集成系统和元器件技术研究所（IISB）计算光刻和光学部门的负责人。他还是埃朗根大学（University of Erlangen）的客座教授、国际Fraunhofer光刻仿真研讨会的组织者，主持过国际光学工程学会（SPIE）的光学光刻和光学设计大会。拥有25年以上的光学光刻和极紫外光刻的研究经验，为多个优选光刻仿真软件的发展做出了关键贡献，其中包括光刻仿真软件Dr.LiTHO的研发。
主编推荐:
"1. 本书概况
光刻机常被成称为“半导体工艺皇冠上的明珠”。谁掌握了光刻机制造技术，谁就可以在大国博弈中立于不败之地。本书在介绍光刻技术应用上，作者涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的共性内容后，该书专门开辟章节，较为详细地介绍了最优选的极紫外光刻技术的特点和难点，从理论上揭示了极紫外光刻的技术奥秘。
2.本书特色
（1）本书是一本近期新的光刻技术专著，涵盖了该领域各个重要方面，既有理论的深度又有内容的广度。
（2）目前尚没有一本关于光刻技术方面的书可以与之媲美。该书凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学之精华，对于从事芯片领域的专业技术人员，这是一本手册性的内容丰富的参考书。
（3）本书由ASML团队匠心翻译。"
内容简介:本书在介绍光刻技术应用上，作者涵盖了全面又丰富的内容，在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，本书采用了完整但不繁琐的方法，增加了该书的可读性。在论述光刻技术的共性内容后，该书专门开辟章节，较为详细地介绍了xianjin的极紫外光刻技术的特点和难点，从理论上揭示了极紫外光刻的技术奥秘。该书内容全面、完整、详实、新颖，集这四个特点于一书，目前尚没有一本关于光刻技术方面的书可以与之媲美。该书凝聚了作者30多年光刻领域科研和教学之精华，对于从事芯片领域的专业技术人员，这是一本手册性的内容丰富的参考书。
目录:第1章 光刻工艺概述
1.1 微型化：从微电子到纳米技术
1.2 光刻技术的发展史
1.3 投影光刻机的空间成像
1.4 光刻胶工艺
1.5 光刻工艺特性
1.6 小结
参考文献
第2章 投影光刻的成像原理
2.1 投影光刻机
2.2 成像理论
2.2.1 傅里叶光学描述
2.2.2 倾斜照明与部分相干成像
2.2.3 其他成像仿真方法
2.3 阿贝瑞利准则及其影响
2.3.1 分辨率极限和焦深
2.3.2 影响
2.4 小结
参考文献
第3章 光刻胶
3.1 光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述
3.1.1 光刻胶的分类
3.1.2 基于重氮萘醌的光刻胶
3.1.3 xianjin的正型化学放大光刻胶
3.1.4 现象学模型
3.2 光刻胶工艺步骤和建模方法
3.2.1 技术方面
3.2.2 曝光
3.2.3 曝光后烘焙
3.2.4 化学显影
3.3 建模方法和紧凑光刻胶模型概述
3.4 负型与正型光刻胶材料和工艺
3.5 小结
参考文献
第4章 光学分辨率增强技术
4.1 离轴照明
4.1.1 线空图形的佳离轴照明形态
4.1.2 接触孔阵列的离轴照明
4.1.3 从传统/参数化的照明形态到自由照明形态
4.2 光学邻近效应校正
4.2.1 孤立密集线宽偏差补偿
4.2.2 线端缩短补偿
4.2.3 从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术
4.2.4 OPC模型和工艺流程
4.3 相移掩模
4.3.1 强相移掩模：交替型相移掩模
4.3.2 衰减型或弱相移掩模
4.4 光瞳滤波
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