碳化硅技术基本原理
￥ 79.77 5.3折 ￥ 150 九五品
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作者(日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Coo
出版社机械工业出版社
ISBN9787111586807
出版时间2018-05
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数500页
字数99999千字
定价150元
上书时间2024-07-18
商品详情
- 品相描述：九五品
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基本信息
书名:碳化硅技术基本原理
定价：150.00元
作者:(日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著,夏经华 等 译
出版社：机械工业出版社
出版日期：2018-05-01
ISBN：9787111586807
字数：649000
页码：500
版次：1
装帧：平装
开本：16开
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编辑推荐
本书作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历，是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔，全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。目前，随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段，本书的翻译出版对于大量已经进入和正在进入该行业，急需了解掌握该行业但不谙英语的专业人士是一本难得的专业书籍。本书可以作为从事碳化硅电力电子材料、功率器件及其应用方面专业技术人员的参考书，也可以作为高等学校微电子学与固体物理学专业高年级本科生、研究生的教学用书或参考书。同时,该书对于在诸如电力供应、换流器-逆变器设计、电动汽车、高温电子学、传感器和智能电网技术等方面的设计工程师、应用工程师和产品经理也是有益的。
内容提要
本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。
目录
译者序原书前言原书作者简介章 导论11.1 电子学的进展11.2 碳化硅的特性和简史31.2.1 早期历史31.2.2 SiC晶体生长的革新41.2.3 SiC功率器件的前景和展示51.3 本书提纲6 参考文献7第2章 碳化硅的物理性质10第3章 碳化硅晶体生长36第4章 碳化硅外延生长70第5章 碳化硅的缺陷及表征技术117第6章 碳化硅器件工艺177第7章 单极型和双极型功率二极管262第8章 单极型功率开关器件286第9章 双极型功率开关器件3369.1 双极结型晶体管（BJT） 3369.1.1 内部电流3379.1.2 增益参数3389.1.3 端电流3409.1.4 电流－电压关系3419.1.5 集电区中的大电流效应：饱和和准饱和3439.1.6 基区中的大电流效应：Rittner效应3479.1.7 集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应3519.1.8 共发射极电流增益：温度特性3539.1.9 共发射极电流增益：复合效应3539.1.10 阻断电压3559.2 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 3569.2.1 电流－电压关系3579.2.2 阻断电压3679.2.3 开关特性3689.2.4 器件参数的温度特性3739.3 晶闸管3759.3.1 正向导通模式3779.3.2 正向阻断模式和触发3819.3.3 开通过程3869.3.4 dV／dt触发3889.3.5 dI／dt的限制3899.3.6 关断过程3909.3.7 反向阻断模式397参考文献3970章 功率器件的优化和比较3981章 碳化硅器件在电力系统中的应用4252章 专用碳化硅器件及应用466附录490附录A 4H－SiC中的不完全杂质电离490参考文献494附录B 双曲函数的性质494附录C 常见SiC多型体主要物理性质497C.1 性质497C.2 主要物理性质的温度和／或掺杂特性498参考文献499
作者介绍
木本恒畅，日本京都大学电子科学与工程系的教授。他的主要科研活动包括SiC的外延生长、光学和电学特性表征、缺陷电子学、离子注入、金属-氧化物-半导体（MOS）物理和高电压器件。此外，他也参与了在纳米级的硅、锗器件、非易失存储器中用新型材料，以及基于氮化镓（GaN）的电子器件方面的研究。詹姆士A.库珀，美国普渡大学电气与计算机工程学院的一位半导体界的元老级人物。
序言
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【封面】
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