新型固态pH传感器的研究
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作者董燕
出版社黑龙江大学出版社
ISBN9787568610247
出版时间2024-01
装帧平装
开本16开
定价39.8元
货号29681799
上书时间2024-11-04
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导语摘要
本文针对AlInN/GaN HEMT器件性能的热退化问题，提出添加背势垒层和自支撑GaN衬底的解决思路，并通过数值模拟的方法进行了验证优化。另通过模拟和实验研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN HEMT的pH值传感器性能并对感测区尺寸进行了优化，证明GaN基器件具有优异的pH值探测性能。
作者简介董燕，黑龙江人，黑龙江大学讲师，主要从事微电子器件相关研究工作，包括器件设计、封装、测试分析等。共发表SCI收录论文10篇，国家发明专利三项，核心期刊5篇。
目录
第1章 绪论
1.1引言
1.2半导体材料HEMT器件的研究现状
1.3AlIn(Ga)N/GaN异质结构HEMT器件
L.4GaN基HEMT器件的性能参数及存在的问题
第2章 AlInN/GaN异质结构HEMT器件热退化和pH传感器性能模拟研究
2.1引言
2.2InGaN背势垒对AlInN/GaN异质结构HEMT器件热稳定性的改善
2.3增强型GaN基异质结构HEMT器件的优势及存在的问题
2.4增强型AlInN/GaN异质结构HEMT器件自热效应研究
2.5AlIn(Ga)N/GaN异质结构HEMT器件pH传感器性能模拟研究
2.6小结
第3章 GaN基异质结构HEMT pH传感器研究
3.1引言
3.2GaN基异质结构HEMT pH传感器的工作原理
3.3GaN基异质结构HEMT pH传感器的模板设计
……
内容摘要本文针对AlInN/GaN HEMT器件性能的热退化问题，提出添加背势垒层和自支撑GaN衬底的解决思路，并通过数值模拟的方法进行了验证优化。另通过模拟和实验研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN HEMT的pH值传感器性能并对感测区尺寸进行了优化，证明GaN基器件具有优异的pH值探测性能。
主编推荐董燕，黑龙江人，黑龙江大学讲师，主要从事微电子器件相关研究工作，包括器件设计、封装、测试分析等。共发表SCI收录论文10篇，国家发明专利三项，核心期刊5篇。
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