集成电路工艺实验基础

全书分3章， 共26个实验，第1章为基础工艺，包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、 等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程；第2章为检测测量技术，包含MOSFET 器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法 (FTIR) 测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD 器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量；第3章为工艺基础及应用，包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体 (ICP) 特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生 O3 及其应用的实验探索。本书的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、 基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法, 为半导体材料与器件的开发、 设计与研制打下坚定基础。

目录

■ 章基础工艺
实验11真空技术/2

实验12硅片的清洗及氧化 /10

实验13光刻工艺流程实验教学/16

实验14氧等离子体刻蚀/20

实验15等离子体增强化学气相沉积/27

实验16磁控溅射法制备金属薄膜/33

实验17原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及
工艺流程/38

■ 第二章检测测量技术
实验21MOSFET器件特性的测量与分析/45

实验22椭圆偏振仪测薄膜厚度/51

实验23紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度/56

实验24傅立叶变换红外光谱法(FTIR)
测定硅中杂质氧的含量/62

实验25等离子体朗缪尔探针诊断技术/68

附录/74

实验26等离子体发射光谱诊断技术/78

附录/83

实验27质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验/84

实验28半导体二极管的伏安特性及温度特性/90

实验29ICCD器件的特性研究及应用/95

实验210四探针法测量相变材料的变温电阻曲线/104

实验211薄膜厚度和形貌测量/111

■ 第三章工艺基础及应用
实验31表面波等离子体放电实验/118

实验32脉冲放电等离子体特性实验/125

实验33低气压容性耦合等离子体特性实验/130

附录/135

实验34低气压感性耦合等离子体(ICP)特性实验/137

实验35等离子体晶格/141

实验36等离子体功能材料制备与光学性能检测/147

实验37低温等离子体染料废水处理实验/151

实验38低温等离子体产生O3及其应用的实验探索/160

■ 参考文献/164

全书分3章， 共26个实验，第1章为基础工艺，包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、 等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程；第2章为检测测量技术，包含MOSFET 器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法 (FTIR) 测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD 器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量；第3章为工艺基础及应用，包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体 (ICP) 特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生 O3 及其应用的实验探索。本书的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、 基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法, 为半导体材料与器件的开发、 设计与研制打下坚定基础。