CMOS

作为 Woodhead 出版社电子学和光学材料丛书的一种，本译作的英文版——CMOS Past，Present and Fuure 由Elsevier出版。这本书由来自中国科学院大学和中国科学院微电子研究所、欧洲微电子研发中心Imec 的同事们合作完成。
作为新近出版的一部关于 CMOS器件和制造的专业书籍，本书内容涵盖了CMOS 器件的发展历史、技术现状和未来发展趋势，对于过去 20 年中进入量产的关键技术模块给出了相对系统和深入的讨论，包括 90 纳米技术节点引入的锗硅应变源漏技术、45纳米节点引入的高 k/金属栅技术、超浅结技术、先进接触技术和铜互连技术，此外对于未来有可能替代硅的高迁移率沟道材料也做了专门的讲解。这些内容是过去有关超大规模集成电路的书籍所缺少的。对于从事集成电路制造的研发人员和微电子学相关专业的研究生，这本书不失为一个好的参考阅读材料;对于就业于集成电路装备和材料产业的技术人员，书中的相关章节也可以帮助他们更好地理解他们的产品所需要面对的问题。
囿于语言和传播途径上的限制，本书的英文版在中国大陆同仁中的传播和影响力十分有限，而在大陆集成电路产业蓬勃发展的今天，这本书的中文版应该可以对从事这一产业的中文读者有所助益。有鉴于此，上海科学技术出版社买下了该书的中文版权，并希望译者将书稿翻译付梓。在新冠疫情肆虐的这段日子里，译者遵守国家要求，居家抗疫，随即获得了充分的伏案时间，很快地将书稿译完。
在翻译过程中，译者校订了原著中的几处错误，重画了部分插图。译作保留了除索引外的全部内容。因为原索引按英文字母排序，而中文在次序上无法对应，失去了查阅的便利，故做了舍弃处理。作为原著作者之一，译者有与各章节作者自由沟通的便利，因此，对原文中存疑之处，均与原作者做了直接讨论。尽管经过多次校对，译作中仍可能存在疏漏和错误之处，恳请读者诸君给予指正。
这本译作的出版得益于上海科学技术出版社编辑在选题上的想象力和催稿上的执着。没有他们的努力和热情，这个工作很可能不会有开始之日。译者还要感谢英文原版作者H. Radamson教授和罗军教授给予的帮助，希望本译作真实地传达了他们原作章节所要表达的内容。
译者 2020年11月

CMOS是集成电路的基本单元，其设计和结构经历了数十年的进化历程，始终遵从了摩尔定律。作为关于CMOS器件和制造的专业书籍，本书内容涵盖了CMOS器件的发展历史、技术现状和未来发展趋势，对于过去20年中进入量产的关键技术模块给出了较为系统和深入的讨论。

[瑞典]Henry H.Radamson：欧洲科学院院士，中科院微电子研究所“千人计划”特聘专家、研究员，国家高层次人才专家。2011年和2018年两次获得瑞典先进IR技术创新奖；Springer-Nature 期刊编辑，Nanomaterials 客座编辑。

罗军：中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学岗位教授、博士生导师、集成电路先导工艺研发中心副主任，广东省大湾区集成电路与系统应用研究院FDSOI创新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics副主编，2019年入选中科院青促会优秀会员。
[比利时]Eddy Simoen：比利时欧洲微电子研发中心（IMEC）高级研究员，中科院微电子研究所客座教授，根特大学兼任教授。国际电化学学会会士，曾任EDS荷比卢分会主席和多个国际学术会议分会场主席和会议论文集主编。
赵超：中国国籍，（为作者之一，详见译者简介。）

第 1章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累积 
1.2.2 耗尽
1.2.3 反型
1.2.4 强反型
1.3 MOSFET的品质因数
1.4 MOSFET器件结构的演变
1.5 小结
参考文献
第2章器件结构小型化和演化进程
2.1 引言
2.2 尺寸和结构的缩放
2.2.1 缩放原则
2.2.2 器件结构的影响
2.2.3 无结型晶体管
2.3 光刻
2.3.1 增强分辨率 
2.3.2 二次图形化技术
2.3.3 极紫外光刻技术 
2.3.4 掩模增强技术 
2.4 电子束光刻 
2.5 应变工程
......
第8 章先进互连技术及其可靠性
8.1 引言 
8.2 铜互连集成
8.2.1 大马士革工艺
8.2.2 铜电阻随互连微缩的变化 
8.2.3 新型铜互连集成方案 
8.3 low-k 介质特征和分类 
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分类和表征 
8.3.3 low-k介质集成挑战 
8.3.4 气隙在互连中的实现
8.4 铜与硅和介质的相互作用
8.4.1 铜与硅的相互作用
8.4.2 铜与介质的相互作用 
8.5 金属扩散阻挡层
8.5.1 金属间阻挡层的材料选择 
8.5.2 金属扩散阻挡层的沉积 
8.6 铜金属化的可靠性
8.6.1 电迁移基础理论 
8.6.2 应力致空洞化
8.7 先进金属间介质的可靠性
8.7.1 金属间介质的漏电机理 
8.7.2 金属间介质的击穿特性 
8.8 可靠性统计和失效模型 
8.8.1 概率分布函数 
8.8.2 击穿加速模型
8.9 未来的互连 
8.10 小结
参考文献
后记
原著致谢

CMOS是集成电路的基本单元，其设计和结构经历了数十年的进化历程，始终遵从了摩尔定律。作为关于CMOS器件和制造的专业书籍，本书内容涵盖了CMOS器件的发展历史、技术现状和未来发展趋势，对于过去20年中进入量产的关键技术模块给出了较为系统和深入的讨论。

[瑞典]Henry H.Radamson：欧洲科学院院士，中科院微电子研究所“千人计划”特聘专家、研究员，国家高层次人才专家。2011年和2018年两次获得瑞典先进IR技术创新奖；Springer-Nature 期刊编辑，Nanomaterials 客座编辑。

罗军：中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学岗位教授、博士生导师、集成电路先导工艺研发中心副主任，广东省大湾区集成电路与系统应用研究院FDSOI创新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics副主编，2019年入选中科院青促会优秀会员。
[比利时]Eddy Simoen：比利时欧洲微电子研发中心（IMEC）高级研究员，中科院微电子研究所客座教授，根特大学兼任教授。国际电化学学会会士，曾任EDS荷比卢分会主席和多个国际学术会议分会场主席和会议论文集主编。
赵超：中国国籍，（为作者之一，详见译者简介。）