占“新”为民 兴“材”报国——王占国院士文集
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作者中国科学院半导体研究所
出版社科学出版社
ISBN9787030591067
出版时间2018-11
装帧平装
开本其他
定价480元
货号25584924
上书时间2024-11-01
商品详情
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导语摘要
本书梳理和总结了中国科学院院士、半导体材料及材料物理学家王占国院士近60年从事半导体材料领域科研活动的历程。主要包括王占国院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研和工作事迹、回忆文章、获授奖项以及育人情况等内容。王占国院士是我国著名的半导体材料及材料物理学家，对推动我国半导体材料科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。
商品简介本书梳理和总结了中国科学院院士、半导体材料及材料物理学家王占国院士近60年从事半导体材料领域科研活动的历程。主要包括王占国院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研和工作事迹、回忆文章、获授奖项以及育人情况等内容。王占国院士是我国著名的半导体材料及材料物理学家，对推动我国半导体材料科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。
【书摘与插画】
目录
序
第一篇 自传
幼年时光
插曲
初入小学
远足与讲演
夜“逃”红军
崭新的小学生活
侯集镇的3年初中生活
夜惊
雪夜宿房营
入伙
紧张有趣的课外活动
南阳第二高中
只身北上南开求学
胆战心惊的高等数学课
共产主义暑假
毛主席视察南开大学
3年困难时期的大学生活
早期科研工作概述
什刹海黑夜救同事
天津小站劳动锻炼
1978年中国物理学会年会趣事
变温霍尔系数测量系统建设
留学瑞典隆德大学固体物理系
1984年回国后的研究工作
第二篇 论著选编
硅的低温电学性质
Evidence that the gold donor and acceptor in silicon are two levels of the same defect
Optical properties of iron doped AlxGal1-x As alloys
Electronic properties of native deep-level defects in liquid-phase epitaxial GaAs
Direct evidence for random-alloy spliUing of Cu levels in GaAs1-xPx
Acceptor associates and bound excitons in GaAs：Cu
Localization of excitons to Cu-related defects in GaAs
Direct evidence for the acceptorlike character of the Cu-related C and F bound--exciton centers in GaAs
混晶半导体中深能级的展宽及其有关效应
Electronic properties of an electron-attractive complex neutral defect in GaAs
硅中金施主和受主光电性质的系统研究
A novel model of“new donors”in Czocbralski-grown silicon
Electrical characteristics of GaAs grown from the melt in a reduced-gravity environment
SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究
Interface roughness scattering in GaAs-AlGaAs modulation-doped heterostructures
Simulation of lateral confinement in very narrow channels
Theoretical investigation of the dynamic process of the illumination of GaAs
Effect of image forces on electrons confined in low-dimensional structures under a magnetic field
Photoluminescence studies of single submonolayer InAs structures grown on GaAs(001)matrix
Influence of DX centers in the AlxGa1-x As barrier on the low-temperature density and
mobility of the two-dimensional electron gas in GaAs／A1GaAs modulation-doped heterostructure
Photoluminescence studies on very high-density quasi-two-dimensional electron gases in pseudomorphic modulation-doped quantum wells
Ordering along(111)and(100)directions in GaInP demonstrated by photoluminescence under hydrostatic pressure
内容摘要本书梳理和总结了中国科学院院士、半导体材料及材料物理学家王占国院士近60年从事半导体材料领域科研活动的历程。主要包括王占国院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研和工作事迹、回忆文章、获授奖项以及育人情况等内容。王占国院士是我国著名的半导体材料及材料物理学家，对推动我国半导体材料科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。
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