• 【正版书籍】纳米多孔GaN基薄膜的制备及其特性研究
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【正版书籍】纳米多孔GaN基薄膜的制备及其特性研究

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作者曹得重

出版社科学出版社

ISBN9787030758668

出版时间2023-06

装帧平装

开本其他

定价98元

货号L9787030758668

上书时间2024-05-28

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品相描述:全新
商品描述
商品简介
本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象,系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究,为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

目录
目录
“博士后文库”序言
前言
第1章 绪论 1
1.1 GaN的材料特性 1
1.2 GaN材料的应用背景 3
1.3 GaN单晶薄膜的研究现状 6
1.4 纳米多孔GaN单晶薄膜的研究现状 7
第2章 实验设备和测试方法 11
2.1 实验设备 11
2.1.1 有机金属化学气相沉积系统 11
2.1.2 电化学刻蚀系统 12
2.2 测试方法 13
2.2.1 表面形貌测试方法 13
2.2.2 晶体结构测试方法 15
2.2.3 物质成分测试方法 16
2.2.4 光学特性测试方法 18
2.2.5 力学特性测试方法 21
2.2.6 电学特性测试方法 22
2.2.7 其他测试方法 25
第3章 GaN薄膜在预刻蚀阶段的电化学刻蚀机理 27
3.1 实验部分 28
3.2 结果和讨论 28
3.3 本章小结 34
第4章 纳米多孔GaN薄膜的光催化特性 35
4.1 实验部分35
4.1.1 纳米多孔GaN薄膜的制备 35
4.1.2 光催化测试 36
4.2 结果和讨论36
4.2.1 纳米多孔GaN薄膜的表征 36
4.2.2 纳米多孔GaN薄膜的光催化活性38
4.2.3 纳米多孔GaN薄膜和多孔Si的光催化活性的对比 40
4.3 本章小结 43
第5章 纳米多孔GaN薄膜的光电化学特性 44
5.1 实验部分 44
5.1.1 GaN单晶薄膜的制备 44
5.1.2 纳米多孔GaN薄膜的制备 44
5.1.3 测试和表征 45
5.2 结果和讨论 45
5.3 本章小结 52
第6章 纳米多孔GaN基MQW的制备及其光电化学特性 53
6.1 实验部分 53
6.2 结果和讨论 54
6.2.1 纳米多孔GaN基MQW的制备和表征54
6.2.2 剥离的纳米多孔GaN基MQW的制备和表征 58
6.2.3 纳米多孔GaN基MQW的光电化学特性 61
6.3 本章小结 64
第7章 纳米多孔GaN基LED的制备及特性 66
7.1 实验部分 66
7.2 结果和讨论 67
7.3 本章小结 71
第8章 具有分布布拉格反射镜的GaN基LED制备及特性 72
8.1 实验部分 73
8.1.1 GaN薄膜的外延生长 73
8.1.2 片尺寸纳米多孔GaN DBR的制备 73
8.1.3 LED 结构的外延生长 73
8.1.4 测试与表征 74
8.2 结果和讨论 74
8.3 本章小结 81
第9章 具有GaN/纳米空腔的InGaN基LED的制备及特性 82
9.1 实验部分 82
9.1.1 GaN薄膜的外延生长 82
9.1.2 片尺寸多层纳米多孔GaN结构的制备 83
9.1.3 LED结构的外延生长 83
9.1.4 测试与表征 84
9.2 结果和讨论 84
9.3 本章小结 89
第10章 具有中孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN/GaN光阳极的制备及其光电化学特性 90
10.1 实验部分 91
10.1.1 样品制备 91
10.1.2 测试和表征 91
10.2 结果和讨论 92
10.3 本章小结 99
第11章 自支撑纳米多孔InGaN/GaN MQW的制备及发光特性 100
11.1 实验部分 101
11.1.1 薄膜的外延生长 101
11.1.2 薄膜的光电化学刻蚀 101
11.1.3 测试和表征 101
11.2 结果和讨论 101
11.3 本章小结 107
第12章 具有纳米多孔GaN反射镜的多孔InGaN/GaN MQW的光解水特性 108
12.1 实验部分 109
12.1.1 薄膜外延生长 109
12.1.2 薄膜的电化学刻蚀 109
12.1.3 测试和表征 110
12.2 结果和讨论 110
12.3 本章小结 119
参考文献 120
编后记 143
彩图

内容摘要
本书采用有机金属化学气相沉积、电化学刻蚀、再生长、转移等技术,制备出一系列纳米多孔GaN(NP-GaN)基功能薄膜,并对其特性和相关应用进行了系统地研究。在研究中发现,氮化镓基薄膜纳米结构具有丰富的物理性质,而采用合适的技术和工艺,可以制备出高性能的新型微纳器件。然而关于纳米多孔GaN基薄膜的专著较少,本书弥补了这一领域的空白,详细介绍了多种设计和研制稳定、高效的GaN基微纳光电器件的途径,为新型微纳器件的设计奠定了基础。

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