【现货速发】半导体薄膜技术与物理

第1章  真空技术
  §1.1  真空的基本概念
    1.1.1  真空的定义
    1.1.2  真空度单位
    1.1.3  真空区域划分
  §1.2  真空的获得
  §1.3  真空度测量
    1.3.1  热传导真空计
    1.3.2  热阴极电离真空计
    1.3.3  冷阴极电离真空计
  §1.4  真空度对薄膜工艺的影响
  参考文献
第2章  蒸发技术
  §2.1  发展历史与简介
  §2.2  蒸发的种类
    2.2.1  电阻热蒸发
    2.2.2  电子束蒸发
    2.2.3  高频感应蒸发
    2.2.4  激光束蒸发
    2.2.5  反应蒸发
  §2.3  蒸发的应用实例
    2.3.1  Cu(In，Ga)Se2薄膜
    2.3.2  ITO薄膜
  参考文献
第3章  溅射技术
  §3.1  溅射基本原理
  §3.2  溅射主要参数
    3.2.1  溅射阈和溅射产额
    3.2.2  溅射粒子的能量和速度
    3.2.3  溅射速率和淀积速率
  §3.3  溅射装置及工艺
    3.3.1  阴极溅射
    3.3.2  三极溅射和四极溅射
    3.3.3  射频溅射
    3.3.4  磁控溅射
    3.3.5  反应溅射
  §3.4  离子成膜技术
    3.4.1  离子镀成膜
    3.4.2  离子束成膜
  §3.5  溅射技术的应用
    3.5.1  溅射生长过程
    3.5.2  溅射生长Zn()薄膜的性能
  参考文献
第4章  化学气相沉积
  §4.1  概述
  §4.2  硅化学气相沉积
    4.2.1  CVD反应类型
    4.2.2  CVD热力学分析
    4.2.3  CVD动力学分析
    4.2.4  a；同硅源的外延生长
    4.2.5  成核
    4.2.6  掺杂
    4.2.7  外延层质量
    4.2.8  生长工艺
  §4.3  CVD技术的种类
    4.3.1  常压CVD
    4.3.2  低压CVD
    4.3.3  超高真空CVD
  §4.4  能量增强CVD技术
    4.4.1  等离子增强CVD
    4.4.2  光增强CVD
  §4.5  卤素输运法
    4.5.1  氯化物法
    4.5.2  氢化物法
  §4.6  MOCVD技术
    4.6.1  MOCVD简介
    4.6.2  MOCVD生长GaAs
    4.6.3  MOCVD生长GaN
    4.6.4  MOCVD生长ZnO
  §4.7  特色CVD技术
    4.7.1  选择外延CVD技术
    4.7.2  原子层外延
  参考文献
第5章  脉冲激光沉积
  §5.1  脉冲激光沉积概述
  §5.2  PLD的基本原理
    5.2.1  激光与靶的相互作用
    5.2.2  烧蚀物的传输
    5.2.3  烧蚀粒子在衬底上的沉积
  §5.3  颗粒物的抑制
  §5.4  PLD在Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜中的应用
    5.4.1  ZnO薄膜的PLD生长
    5.4.2  其他Ⅱ一Ⅵ族化合物的PLD生长
  参考文献
第6章  分子束外延
  §6.1  引  言
  §6.2  分子束外延的原理和特点
  §6.3  外延生长设备
  §6.4  分子束外延生长硅
    6.4.1  表面制备
    6.4.2  外延生长
    6.4.3  掺杂
    6.4.4  外延膜的质量诊断
  §6.5  分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构
    6.5.1  MBE生长GaAs
    6.5.2  MBE生长InAs／GaAs
    6.5.3  MBE生长GaN
  §6.6  分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
    6.6.1  }tgCdTe材料
    6.6.2  CdTe／Si的外延生长
    6.6.3  HgCdTe／Si的外延生长
    6.6.4  ZnSe、ZnTe
    6.6.5  ZnO薄膜
  §6.7  分子束外延生长其他半导体材料和结构
    6.7.1  SiC材料
    6.7.2  生长小尺寸Ge／Si量子点
    6.7.3  生长有机半导体薄膜
  参考文献
第7章  液相外延
  §7.1  液相外延生长的原理
    7.1.1  液相外延基本概况
    7.1.2  硅液相外延生长的原理
  §7.2  液相外延生长方法和设备
  §7.3  液相外延生长的特点
  §7.4  液相外延的应用实例
    7.4.1  硅材料
    7.4.2  Ⅲ-V族化合物半导体材料
    7.4.3  碲镉汞材料
    7.4.4  SiC材料
  参考文献
第8章  湿化学制备方法
  §8.1  溶胶一凝胶技术
    8.1.1  Sol-Gel的生长机制
    8.1.2  Sol-Gel的工艺过程
    8.1.3  Sol-Gel合成TiO2薄膜
    8.1.4  Sol-Gel的优点和缺点
  §8.2  喷雾热分解技术
    8.2.1  喷雾热分解的种类
    8.2.2  喷雾热分解的生长过程
    8.2.3  喷雾热分解的应用介绍
    8.2.4  喷雾热分解制备ZnO薄膜
  §8.3  液相电沉积技术
    8.3.1  电沉积简介
    8.3.2  电沉积制备类金刚石薄膜
  参考文献
第9章  半导体超晶格和量子阱
  §9.1  引  言
  §9.2  半导体超晶格、量子阱的概念和分类
    9.2.1  组分超晶格
    9.2.2  掺杂超晶格
    9.2.3  应变超晶格
    9.2.4  调制掺杂超晶格
  §9.3  半导体超晶格、量子阱的量子特性
    9.3.1  量子约束效应
    9.3.2  量子隧穿和超晶格微带效应
    9.3.3  共振隧穿效应
  §9.4  半导体超晶格、量子阱的结构和器件应用介绍
    9.4.1  GaAs／AlxGa1-xAs体系
    9.4.2  ZnSe基异质结、量子阱结构
  参考文献
第lO章  半导体器件制备技术
  §10.1  衬底材料的清洗
  §10.2  发光二极管
    10.2.1  GaN基LED
    10.2.2  ZnO基LED
    10.2.3  白光LED
  §10.3  薄膜晶体管
    10.3.1  薄膜晶体管的工作原理
    10.3.2  非晶硅薄膜晶体管
    10.3.3  多晶硅薄膜晶体管
    10.3.4  有机薄膜晶体管
    10.3.5  ZnO薄膜晶体管
  §10.4  光电探测器
    10.4.1  光电导探测器
    10.4.2  肖特基型光电探测器
    10.4.3  p-n结型光电探测器
    10.4.4  改进型光电二极管
  参考文献
第1l章  溶液法技术及发光器件的制备
  §11.1  引  言
  §11.2  溶液法制备LED的分类与工作原理
    11.2.1  量子点LED
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