半导体干法刻蚀技术(原书第2版)
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作者(日)野尻一男
出版社机械工业出版社
ISBN9787111742029
出版时间2024-01
装帧平装
开本16开
定价89元
货号1203176038
上书时间2024-06-14
商品详情
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目录
译者序
第2版前言
第1版前言
第1章半导体集成电路的发展与干法刻蚀技术
1.1干法刻蚀的概述
1.2干法刻蚀的评价参数
1.3干法刻蚀在LSI的高度集成中的作用
参考文献
第2章干法刻蚀的机理
2.1等离子体基础知识
2.1.1什么是等离子体
2.1.2等离子体的物理量
2.1.3等离子体中的碰撞反应过程
2.2离子鞘层及离子在离子鞘层中的行为
2.2.1离子鞘和Vdc
2.2.2离子鞘层中的离子散射
2.3刻蚀工艺的设置方法
2.3.1干法刻蚀的反应过程
2.3.2各向异性刻蚀的机理
2.3.3侧壁保护工艺
2.3.4刻蚀速率
2.3.5选择比
2.3.6总结
参考文献
……
内容摘要
本书是一本全面系统的干法刻蚀技术论著。针对干法刻蚀技术,在内容上涵盖了从基础知识到近期新技术,使初学者能够了解干法刻蚀的机理,而无需复杂的数值公式或方程。本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺,而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术,介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理,例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体,并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。
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