改性锗半导体物理
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广东广州
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作者宋建军,冒剑军,薛笑欢 编
出版社西安电子科技大学出版社
ISBN9787560659510
出版时间2020-12
装帧平装
开本16开
定价20元
货号1202310226
上书时间2024-06-11
商品详情
- 品相描述：全新
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目录
章 Ge带隙类型转变理论
1.1 Ge带隙类型转变建模
1.1.1 Ge半导体应变张量
1.1.2 Ge半导体导带形变势
1.2 Ge带隙类型转变规律
1.2.1 仅应力作用
1.2.2 合金化作用
1.2.3 应力与合金化共作用
1.3 本章小结
习题
第2章 PD-Ge改性半导体能带结构
2.1 PD-Ge价带形变势理论
2.2 PD-Ge能带E-k关系模型
2.2.1 PD-Ge导带E-k关系
2.2.2 PD-Ge价带E-k关系
2.3 PD-Ge能带结构模型
2.3.1 导带结构模型
2.3.2 价带结构模型
2.4 本章小结
习题
第3章 DR-Ge1-xSnx和DBTS-Ge1-xSnx改性半导体能带结构
3.1 DR-Ge1-xSnx和DBTS-Ge1-xSnx能带E-k关系模型
3.2 DR-Ge1-xSnx能带结构模型
3.2.1 DR-Ge1-xSnx导带、价带结构模型
3.2.2 DR-Ge1-xSnx载流子有效质量模型
3.3 DBTS-Ge1-xSnx能带结构模型
3.3.1 DBTS-Ge1-xSnxΓ点处能级
3.3.2 DBTS-Ge1-xSnx导带、价带结构模型
3.3.3 DBTS-Ge1-xSnx载流子有效质量
3.4 本章小结
习题
第4章 DR-Ge1-xSnx和PD-Ge能带调制
4.1 DR-Ge1-xSnx禁带宽度调制
4.1.1 DR-Ge1-xSnx0°单轴应力禁带宽度调制
4.1.2 DR-Ge1-xSnx45°单轴应力禁带宽度调制
4.2 PD-Ge禁带宽度调制
4.2.1 改性锗0°单轴应力禁带宽度调制
4.2.2 改性锗45°单轴应力禁带宽度调制
4.3 DR-Ge1-xSnx和PD-Ge PL谱
4.4 本章小结
习题
第5章 DR-Ge1-xSnx和PD-Ge载流子迁移率
5.1 DR-Ge1-xSnx载流子散射机制
5.2 DR-Ge1-xSnx载流子迁移率
5.3 PD-Ge载流子散射与迁移率
5.4 本章小结
习题
第6章 改性锗半导体的光学特性
6.1 改性锗导带载流子统计分布模型
6.2 改性锗半导体注入载流子复合
6.2.1 Ge中注入载流子复合方式
6.2.2 注入非平衡载流子寿命模型
6.3 改性锗半导体的内量子效率模型
6.4 改性锗半导体折射率模型
6.5 本章小结
习题
第7章 DDR-Ge1-xSnx和PD-Ge MOS反型层能带与迁移率
7.1 改性锗MoS反型层能带理论基础
7.2 DR-Ge1-xSnxMOS反型层能带与迁移率
7.3 PD-Ge MOS反型层能带与迁移率
7.4 本章小结
习题
参考文献
内容摘要
本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。
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