图解入门 半导体元器件精讲
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作者(日)执行直之
出版社机械工业出版社
ISBN9787111730668
出版时间2023-06
装帧平装
开本16开
定价99元
货号1202930694
上书时间2024-11-16
商品详情
- 品相描述：全新
- 商品描述
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目录
前言
第1章 半导体以及MOS晶体管的简单说明
1.1半导体的历史
1.2半导体的概述
1.3MOS晶体管的概述
习题
习题解答
第2章 半导体的基础物理
2.1能带
2.1.1电子是粒子还是波
2.1.2非连续的能级
2.1.3能带（连续能级）
2.2费米统计与半导体
2.2.1费米-狄拉克分布函数
2.2.2缘体、半导体、金属的区别
2.2.3本征半导体
2.2.4N型以及P型半导体
2.3电中性条件以及质量作用定律
……
内容摘要
本书改编自东芝株式会社内培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图，其实是能带图。全书共7章，括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二管、双性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和大规模集成电路器件。在本书后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏电流ID饱和的解释。
本书主要面向具有高中数理基础的半导体初，也可供半导体、芯片从业者阅读。
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东芝株式会社指定内部培训用书日本有名半导体专家执行直之从业40多年积淀38道习题 159张图表 163个公式 168个知识点本书附有：常量表/室温下（300K）的Si基本常量/从基本专利到实用化花了32年的MOS晶体管/麦克斯韦-玻尔兹曼分布函数/关于电子密度n以及空穴密度p的公式/质量作用定律/PN结的耗尽层宽度/载流子的产生与复合/小信号下的共发射极电路的电流放大倍数/带隙变窄以及少数载流子迁移率/阈值电压Vth/关于漏极电流ID饱和的解释/
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