半导体器件原理
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作者黄均鼐,汤庭鳌,胡光喜 编
出版社复旦大学出版社
ISBN9787309081442
出版时间2024-01
装帧平装
开本16开
定价79元
货号1203221355
上书时间2024-11-22
商品详情
- 品相描述：全新
- 商品描述
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作者简介
胡光喜
目录
第一章半导体器件的物理基础/1
1.1半导体的特性/1
1.1.1晶体的结构/1
1.1.2半导体在电性能上的独特性质/2
1.2电子能级和能带/3
1.2.1电子的共有化运动/3
1.2.2晶体中的能带/3
1.3半导体中的载流子/5
1.3.1电子密度和空穴密度表达式/5
1.3.2载流子密度与费密能级位置的关系/7
1.4杂质半导体/8
1.4.1两种不同导电类型的半导体/9
1.4.2杂质半导体/10
1.5非平衡载流子/10
1.5.1非平衡载流子的产生和复合/11
……
内容摘要
为了适应当前集成电路的迅猛发展和新型半导体器件的不断涌现，我们编写出版了《半导体器件原理》一书。
本书不仅介绍和分析了集成电路领域内一些基本器件、如p-n结、双极型晶体管、单栅金属氧化物场效应管，功率晶体管等的基本结构和工作原理，还根据当前科学技术的发展，介绍和分析了一些新型器件的结构和工作原理，如铁电存储器、相变存储器、阻式存储器、多栅场效应管以及肖特基势垒源/漏结构场效应管等。
本书的作者们在集成电路领域具有多年的教学和科研经验，希望通过该书的学习和阅读，为读者了解集成电路领域传统的和新型的半导体器件结构以及它们的基本原理有所帮助。
本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材、也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
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