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氮化镓微波功率器件

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作者马晓华,郑雪峰,张进成 编

出版社西安电子科技大学出版社

ISBN9787560668451

出版时间2023-09

装帧平装

开本16开

定价108元

货号1203226765

上书时间2024-06-30

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商品描述
目录
第1章 绪论

1.1背景

1.2氮化镓材料研究进展

1.3氮化镓微波功率器件研究进展

1.4氮化镓微波功率器件可靠性进展

参考文献

第2章 氮化物材料MOCVD生长技术

2.1GaN材料基本特性及MOCVD生长技术

2.1.1GaN材料的基本特性

2.1.2MOCVD方法生长GaN简介

2.2磁控溅射AlN基板生长GaN薄膜技术

2.2.1磁控溅射AlN特性简介

2.2.2磁控溅射AlN基板上GaN材料生长及表征

2.2.3磁控溅射AlN基板位错抑制机理分析

2.3微纳球掩膜部分接触式横向外延过生长技术

2.3.1部分接触式横向外延过生长简介

2.3.2微纳球掩膜技术外延薄膜材料表征

2.3.3微纳球掩膜技术外延机理分析

……

内容摘要
氮化镓微波功率器件出现至今,无论是其关键技术还是工程应用均取得了快速发展,目前已在新一代移动通信、新型雷达等领域获得了广泛应用。为了推动氮化镓知识的普及,促进读者对氮化镓技术的了解,作者结合研究团队多年的研究及技术实践编撰了此书。本书共6章,包括绪论、氮化物材料MOCVD生长技术、氮化镓微波功率器件技术、微波功率器件新型工艺、微波功率器件建模、新型氮化镓微波功率器件。

本书可作为微电子器件领域学生的专业教材,也可作为相关领域研究生及从业人员的参考资料。

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