集成电路工艺实验基础
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作者石建军,郭颖
出版社东华大学出版社
ISBN9787566922137
出版时间2023-06
装帧平装
开本16开
定价45元
货号1202971101
上书时间2024-06-29
商品详情
- 品相描述：全新
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作者简介
1.石建军，磁约束核聚变教育部研究中心（东华大学）副主任和纺织行业优选等离子体技术与应用重点实验室副主任，中国力学学会第八届等离子体科学与技术专业委员会副主任委员，教育部新世纪优秀人才，上海市曙光学者和浦江学者。研究方向：在等离子体物理和等离子体与材料相互作用方面开展基础和应用研究。先后主持了包括国家自然科学基金面上、青年项目和科学部主任基金项目、科技部ITER计划配套项目、教育部新世纪优秀人才支持计划、上海市浦江人才计划、上海市曙光计划等。在《Physical Review Letters》、《Applied Physics Letters》、《Journal of Applied Physics》等期刊上发表SCI论文80余篇。2.郭颖，纺织行业优选等离子体技术与应用重点实验室副主任，中国电工技术学会等离子体及应用专委会委员。主要从事低温等离子体的基础和应用研究工作，包括等离子体源技术、诊断及理论和数值模拟。致力于发展大面积均匀稳定的低温等离子体源技术；同时也面向等离子体与材料表面的相互作用，如刻蚀、沉积、接枝及功能改性方面的工作。主持国家基金项目3项，主持与美国March公司合作设备开发项目等多项横向项目，参加其他各类科研项目（国家重点基金等）多项，所参加的项目获得上海市科技进步二等奖。在APL、PSST、POP、ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Surf. Sci.、AIP Advances等发表论文三十多篇。
目录
第一章基础工艺
实验1.1真空技术/2
实验1.2硅片的清洗及氧化/10
实验1.3光刻工艺流程实验教学/16
实验1.4氧等离子体刻蚀/20
实验1.5等离子体增强化学气相沉积/27
实验1.6磁控溅射法制备金属薄膜/33
实验1.7原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程/38
第二章检测测量技术
实验2.1MOSFET器件特性的测量与分析/45
实验2.2椭圆偏振仪测薄膜厚度/51
实验2.3紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度/56
实验2.4傅立叶变换红外光谱法(FTIR)测定硅中杂质氧的含量/62
实验2.5等离子体朗缪尔探针诊断技术/68
附录/74
实验2.6等离子体发射光谱诊断技术/78
附录/83
实验2.7质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验/84
实验2.8半导体二极管的伏安特性及温度特性/90
实验2.9ICCD器件的特性研究及应用/95
实验2.10四探针法测量相变材料的变温电阻曲线/104
实验2.11薄膜厚度和形貌测量/111
第三章工艺基础及应用
实验3.1表面波等离子体放电实验/118
实验3.2脉冲放电等离子体特性实验/125
实验3.3低气压容性耦合等离子体特性实验/130
附录/135
实验3.4低气压感性耦合等离子体(ICP)特性实验/137
实验3.5等离子体晶格/141
实验3.6等离子体功能材料制备与光学性能检测/147
实验3.7低温等离子体染料废水处理实验/151
实验3.8低温等离子体产生O3及其应用的实验探索/160
参考文献/164
内容摘要
全书分3章，共26个实验，第1章为基础工艺，包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程；第2章为检测测量技术，包含MOSFET器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法(FTIR)测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量；第3章为工艺基础及应用，包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体(ICP)特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生O3及其应用的实验探索。本书的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法，为半导体材料与器件的开发、设计与研制打下坚定基础。
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