宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践
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作者付晓君
出版社哈尔滨工业大学出版社
ISBN9787576705416
出版时间2023-05
装帧精装
开本16开
定价98元
货号1203103115
上书时间2024-06-03
商品详情
- 品相描述：全新
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目录
第1章空间辐射环境与基本辐射效应
1.1空间辐射环境
1.1.1太阳宇宙射线
1.1.2银河宇宙射线
1.1.3地球俘获带
1.2基本辐射效应
1.2.1位移损伤效应
1.2.2总剂量效应
1.2.3单粒子效应
1.3单粒子辐射加固功率MOSFET器件面临的挑战
1.3.1航天应用对功率MOSFET器件的可靠性要求
1.3.2航天应用对功率MOSFET器件的抗辐射要求
本章参考文献
第2章宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型
2.1重离子与材料的相互作用
2.1.1重离子在材料中的能量损失
2.1.2重离子在材料中的射程
2.2宇航MOSFET器件物理
2.2.1宇航VDMOS器件的基本器件结构
2.2.2宇航VDMOS器件静态参数
2.2.3宇航VDMOS器件动态参数
2.2.4宇航VDMOS器件极限参数
……
内容摘要
本书系统介绍宇航MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章，主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术，宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验，并以一款宇航VDMOS器件为实例，详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节，最后介绍宇航MOSFET器件的应用及发展趋势。
本书是作者总结多年的工作实践经验和研究成果撰写而成，可供微电子相关专业师生，以及从事微电子器件工艺开发和抗辐射加固技术研究的工程人员阅读参考。
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