二维半导体物理
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作者夏建白 等
出版社科学出版社
ISBN9787030732460
出版时间2022-09
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开本其他
定价118元
货号1202751397
上书时间2024-05-26
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目录
前言
第1章 晶体结构和能带
1.1 氮化硼
1.2 黑磷
1.3 砷烯和锑烯
1.4 MX2（M=Mo,W;X=S,Se）
1.5 VX2（X=S,Se和Te）
1.6 SnX2（X=S,Se）
1.7 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）
1.8 ReX2（X=S,Se）
1.9 MX（M=B,Al,Ga,In;X=O,S,Se,Te）
参考文献
第2章 第一性原理计算方法
2.1 量子力学理论基础简介
2.1.1 多粒子体系薛定谔方程
2.1.2 Born-Oppenheimer近似
2.1.3 Hartree-Fock近似
2.2 密度泛函理论简介
2.3 多体格林函数理论
2.3.1 单粒子格林函数
2.3.2 Dyson方程
2.3.3 Hedin方程
2.3.4 GW近似
2.3.5 Bethe-Salpeter方程
参考文献
第3章 二维半导体结构与声子谱
3.1 晶体振动的一般理论
3.2 二维半导体的声子色散关系
3.3 力学性质
参考文献
第4章 二维半导体的光学性质
4.1 半导体的带间跃迁
4.2 激子效应
4.3 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）的光学性质
4.4 黑磷多层的光学性质
4.5 SnS2和SnSe2二维材料的激子效应
4.6 黑磷的激子效应
4.7 单层MoS2的发光
4.8 α-tellurene的激子态和振荡强度
4.9 二维半导体SnSSe激子效应的理论计算
4.10 二维半导体MM′XX′（M,M′=Ga,In;X,X′=S,Se,Te）激子效应的理论计算
参考文献
第5章 二维半导体中的缺陷态和合金
5.1 三维半导体中的杂质和缺陷
5.2 研究深能级杂质的集团模型方法
5.3 二维半导体杂质缺陷类型
5.4 二维半导体杂质缺陷态结合能的第一性原理计算
5.5 二维半导体中的杂质缺陷态
5.6 单层过渡金属硫化物的缺陷态
5.7 单层MX2中的其他缺陷
5.8 Mo1.xWxS2单层合金的能带和发光性质
5.9 WS2xSe2-2x（x=0～1）合金二维半导体及器件
参考文献
第6章 二维半导体能带的紧束缚表述
6.1 三维半导体的键轨道理论和紧束缚方法
6.2 六角氮化硼（h-BN）单层能带的紧束缚计算
6.2.1 二维BN的原子结构
6.2.2 紧束缚能带论
6.2.3 计算结果
6.2.4 光学性质的定性讨论
6.3 二维砷烯能带的紧束缚计算
6.3.1 原子结构
6.3.2 紧束缚计算
6.3.3 参数的调节
6.3.4 光学性质的简单分析
6.4 黑磷的紧束缚理论
6.4.1 黑磷的原子结构
6.4.2 二维黑磷的紧束缚矩阵元
6.4.3 紧束缚参数的调节
6.4.4 光学性质讨论
6.5 二维SnS2的紧束缚理论
6.5.1 原子结构和布里渊区
6.5.2 紧束缚矩阵元
6.5.3 能带计算结果
6.5.4 波函数
6.6 MoS2的紧束缚理论
6.6.1 原子结构和布里渊区
6.6.2 紧束缚矩阵元
6.6.3 紧束缚参数的确定
6.6.4 二维MoS2的能带
参考文献
第7章 二维半导体的输运性质
7.1 三维半导体的线性输运性质
7.2 第一性原理量子输运理论
7.3 MX2的输运理论
7.4 黑磷的输运性质
7.5 MX（M=Ge,Sn;X=S,Se）的输运性质
7.6 二维半导体的输运性质的特点
7.7 二维半导体的场效应晶体管
7.8 黑磷的场效应晶体管
参考文献
第8章 磁性二维半导体物理和器件
8.1 磁性三维半导体
8.2 二维范德瓦耳斯晶体的铁磁性
8.3 二维磁半导体Fe3GeTe2
8.4 二维磁半导体CrI3
8.5 稀磁二维半导体Fe0.02Sn0.98S2
8.6 二维室温铁磁材料Cr2Te3
8.7 异质结构与界面工程
8.8 二维磁体的器件应用
参考文献
第9章 二维半导体的催化作用
9.1 三维半导体TiO2的催化产氢效应
9.2 二维TMD的催化产氢作用的一些基本概念
9.3 二维半导体的光催化性质
9.3.1 边缘修饰的黑磷烯纳米带的光解水性质
9.3.2 WSSe的光催化性质
9.3.3 MM′XX′（M,M′=Ga,In;X,X′=S,Se,Te）的光催化性质
9.4 增加HER效率的方法
9.4.1 相变工程
9.4.2 缺陷工程
9.4.3 异质原子掺杂工程
9.4.4 异质结构工程
参考文献
第10章 二维半导体异质结
10.1 二维半导体垂直异质结
10.2 二维半导体垂直异质结的应用
10.3 二维半导体侧向异质结
10.4 二维半导体侧向异质结的应用
10.5 双层MoS2/WS2侧向异质结的物理性质
10.6 单层MoS2/WS2异质结的制备和物理性质
10.7 垂直异质结中的激子
10.8 转角异质结和莫尔激子
参考文献
附录 二维半导体的物理常数
《21世纪理论物理及其交叉学科前沿丛书》已出版书目
内容摘要
本书主要介绍二维半导体物理的国际研究近况和本书作者最近的研究成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、第一性原理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。
本书适用于高等学校固体物理专业的高年级本科生和研究生，以及从事相关领域的研究人员。
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