半导体材料与器件表征
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作者(美)迪特尔·K·施罗德(Dieter K.Schroder) 著;徐友龙 等 译
出版社西安交通大学出版社
ISBN9787569302189
出版时间2017-12
装帧平装
开本16开
定价128元
货号1201657221
上书时间2024-09-04
商品详情
- 品相描述：全新
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作者简介
迪特尔·K·施罗德博士，美国亚利桑那州立大学电气工程系教授。他是亚利桑那州立大学工学院教学很好奖和几个其它教学奖获得者。除了《半导体材料与器件表征》这本书外，施罗德博士也是《优选MOS器件》的作者。
目录
译者序
第3版序言
章电阻率
1.1引言
1.2两探针与四探针法
1.2.1修正因子
1.2.2任意形状样品的电阻率
1.2.3测量电路
1.2.4测量误差和注意事项
1.3晶片图
1.3.1双注入
1.3.2调制光反射
1.3.3载流子光照
1.3.4光学密度测定（光密度计）
1.4电阻压型
1.4.1微分霍尔效应
1.4.2扩散电阻压型
1.5非接触测试方法
1.5.1涡旋电流
1.6导电类型
……
内容摘要
本书是有名微电子学专家,美国亚利桑那州立大学电气、计算机与能源工程学院摄政董事迪特尔·K·施罗德（DIETER K. SCHRODER）教授编著的。《半导体材料与器件表征（第2版1998.6.3）出版后，半导体材料与器件及其相关技术在纳米技术、量子点、量子阱等方面又有了新的巨大进步，迪特尔·K·施罗德教授重新撰写章节并增加了两章内容和260个新的参考资料。本书在每一个章节后增加了额外的习题和复习思考题，使她更像一本教科书。 本书分为12章，具体如下： 靠前章 电阻率 第2章 载流子与掺杂浓度 第3章 接触电阻与肖特基势垒 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压 第5章 缺陷 第6章 氧化物与界面陷阱电荷、氧化物厚度 第7章 载流子寿命 第8章 迁移率 第9章 基于电荷与探针表征 靠前0章 光学表征 靠前1章 化学与物理表征 靠前2章 可靠性与失效分析 本书涉及到半导体材料与器件所有方面的表征手段和方法，是学习、研究、制造和测试半导体材料与器件的教科书和参考书。
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