CMOS
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作者(瑞典)亨利·H.拉达姆松(Henry H. Radamson)[著]著
出版社上海科学技术出版社
ISBN9787547852316
出版时间2021-03
装帧平装
开本16开
定价95元
货号1202330201
上书时间2024-09-02
商品详情
- 品相描述：全新
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作者简介
"[瑞典]Henry H.Radamson：欧洲科学院院士，中科院微电子研究所“千人计划”特聘专家、研究员，国家高层次人才专家。2011年和2018年两次获得瑞典优选IR技术创新奖；Springer-Nature 期刊编辑，Nanomaterials 客座编辑。
罗军：中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学岗位教授、博士生导师、集成电路先导工艺研发中心副主任，广东省大湾区集成电路与系统应用研究院FDSOI创新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics副主编，2019年入选中科院青促会很好会员。
[比利时]Eddy Simoen：比利时欧洲微电子研发中心（IMEC）不错研究员，中科院微电子研究所客座教授，根特大学兼任教授。靠前电化学学会会士，曾任EDS荷比卢分会主席和多个靠前学术会议分会场主席和会议论文集主编。
赵超：中国国籍，（为作者之一，详见译者简介。）"
"赵超，中国科学院大学特聘教授、中国科学院微电子研究所研究员。
2000—2010年，在欧洲微电子研发中心（IMEC）任资深科学家，参加IMEC的CMOS制造工艺研发工业联盟（IIAP）项目，从事高k/金属栅和优选铜-low-k互连的研发工作。
2010年至今，在中国科学院微电子研究所先后担任集成电路先导工艺研发中心主任和所副总工程师，带领团队建设了国内条面向优选CMOS技术的研发线，并完成多项国家科技重大专项项目和课题。"
目录
章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累积
1.2.2 耗尽
1.2.3 反型
1.2.4 强反型
1.3 MOSFET的品质因数
1.4 MOSFET器件结构的演变
1.5 小结
参考文献
第2章 器件结构小型化和演化进程
2.1 引言
2.2 尺寸和结构的缩放
2.2.1 缩放原则
2.2.2 器件结构的影响
2.2.3 无结型晶体管
2.3 光刻
2.3.1 增强分辨率
2.3.2 二次图形化技术
2.3.3 极紫外光刻技术
2.3.4 掩模增强技术
2.4 电子束光刻
2.5 应变工程
第8 章 先进互连技术及其可靠性
8.1 引言
8.2 铜互连集成
8.2.1 大马士革工艺
8.2.2 铜电阻随互连微缩的变化
8.2.3 新型铜互连集成方案
8.3 low-k 介质特征和分类
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分类和表征
8.3.3 low-k介质集成挑战
8.3.4 气隙在互连中的实现
8.4 铜与硅和介质的相互作用
8.4.1 铜与硅的相互作用
8.4.2 铜与介质的相互作用
8.5 金属扩散阻挡层
8.5.1 金属间阻挡层的材料选择
8.5.2 金属扩散阻挡层的沉积
8.6 铜金属化的可靠性
8.6.1 电迁移基础理论
8.6.2 应力致空洞化
8.7 先进金属间介质的可靠性
8.7.1 金属间介质的漏电机理
8.7.2 金属间介质的击穿特性
8.8 可靠性统计和失效模型
8.8.1 概率分布函数
8.8.2 击穿加速模型
8.9 未来的互连
8.10 小结
参考文献
后记
原著致谢
内容摘要
《CMOS的过去，现在和未来》提供了从基础知识到CMOS处理和电特性表征的近期新见解，包括基于IV组半导体的光子学的集成。本书探讨了在应变工程中在硅上使用异质外延技术以及硅平台上光子学和高迁移率通道的集成所带来的陷阱和机遇。它从基本定义和方程式开始，但一直延伸到当前的技术和挑战，创建了关于技术的起源及其到现在的发展以及对未来趋势的展望的路线图。
该书探讨了硅以外的材料所带来的挑战和机遇，包括对高k材料和金属栅极，应变工程，沟道材料和迁移率以及接触的仔细研究。本书的关键方法是表征，器件处理和电气测量。
主编推荐
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍，讲解十分细致，对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密，由粗至细，循序渐进，降低了阅读难读，并且内容十分丰富，涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
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