【假一罚四】三维电子封装的硅通孔技术/电子封装技术丛书
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作者(美)刘汉诚|译者:秦飞//曹立强
出版社化学工业
ISBN9787122198976
出版时间2014-07
装帧其他
开本其他
定价148元
货号2895790
上书时间2025-01-06
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目录
第1章 半导体工业中的纳米技术和3D集成技术1
1.1 引言1
1.2 纳米技术1
1.2.1 纳米技术的起源1
1.2.2 纳米技术的重要里程碑1
1.2.3 石墨烯与电子工业3
1.2.4 纳米技术展望3
1.2.5 摩尔定律:电子工业中的纳米技术4
1.3 3D集成技术5
1.3.1 TSV技术5
1.3.2 3D集成技术的起源7
1.4 3D Si集成技术展望与挑战8
1.4.1 3D Si集成技术8
1.4.2 3D Si集成键合组装技术9
1.4.3 3D Si集成技术面临的挑战9
1.4.4 3D Si集成技术展望9
1.5 3D IC集成技术的潜在应用与挑战10
1.5.1 3D IC集成技术的定义10
1.5.2 移动电子产品的未来需求10
1.5.3 带宽和宽I/O的定义11
1.5.4 存储带宽11
1.5.5 存储芯片堆叠12
1.5.6 宽I/O存储器13
1.5.7 宽I/O动态随机存储器(DRAM)13
1.5.8 宽I/O接口17
1.5.9 2.5 D与3D IC集成(无源与有源转接板)技术17
1.6 2.5 D IC集成(转接板)技术的最新进展18
1.6.1 用作中间基板的转接板18
1.6.2 用于释放应力的转接板20
1.6.3 用作载板的转接板22
1.6.4 用于热管理的转接板23
1.7 3D IC集成无源TSV转接板技术的新趋势23
1.7.1 双面贴装空腔式转接板技术24
1.7.2 有机基板开孔式转接板技术25
1.7.3 设计举例25
1.7.4 带散热块的有机基板开孔式转接板技术27
1.7.5 超低成本转接板27
1.7.6 用于热管理的转接板技术28
1.7.7 用于LED和SiP封装的带埋入式微流体通道的转接板技术29
1.8 埋入式3D IC集成技术32
1.8.1 带应力释放间隙的半埋入式转接板33
1.8.2 用于光电子互连的埋入式3D 混合IC集成技术33
1.9 总结与建议34
1.10 参考文献35
第2章 TSV技术39
2.1 引言39
2.2 TSV的发明39
2.3 采用TSV技术的量产产品40
2.4 TSV孔的制作41
2.4.1 DRIE与激光打孔41
2.4.2 制作锥形孔的DRIE工艺44
2.4.3 制作直孔的DRIE工艺46
2.5 绝缘层制作56
2.5.1 热氧化法制作锥形孔绝缘层56
2.5.2 PECVD法制作锥形孔绝缘层58
2.5.3 PECVD法制作直孔绝缘层的实验设计58
2.5.4 实验设计结果60
2.5.5 总结与建议61
2.6 阻挡层与种子层制作62
2.6.1 锥形TSV孔的Ti阻挡层与Cu种子层63
2.6.2 直TSV孔的Ta阻挡层与Cu种子层64
2.6.3 直TSV孔的Ta阻挡层沉积实验与结果65
2.6.4 直TSV孔的Cu种子层沉积实验与结果67
2.6.5 总结与建议67
2.7 TSV电镀Cu填充69
2.7.1 电镀Cu填充锥形TSV孔69
2.7.2 电镀Cu填充直TSV孔70
2.7.3 直TSV盲孔的漏电测试72
2.7.4 总结与建议73
2.8 残留电镀Cu的化学机械抛光(CMP)73
2.8.1 锥形TSV的化学机械抛光
……
第3章 TSV的力学、热学与电学行为
第4章 薄晶圆的强度测量
第5章 薄晶圆拿持技术
第6章 微凸点制作、组装与可靠性
第7章 微凸点的电迁移
第8章 芯片到芯片、芯片到晶圆、晶圆到晶圆键合
第9章 3D IC集成的热管理
第10章 3D IC封装
第11章 3D 集成的发展趋势
附录
内容摘要
刘汉诚编写的《三维电子封装的硅通孔技术》系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统(MEMS)器件的三维集成硅通孔(TSV)技术的最新进展和可能的演变趋势,详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史,然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封
装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技
术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技
术以及三维集成中的可靠性问题等,最后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。
《三维电子封装的硅通孔技术》适合从事电子、
光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读,也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书。
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