【假一罚四】SiC基石墨烯及其金属改性
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全新
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作者胡廷伟著
出版社中国原子能出版社
ISBN9787522120638
出版时间2024-03
装帧平装
开本其他
定价98元
货号4560256
上书时间2024-11-26
商品详情
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目录
本书围绕SiC热解石墨烯及其金属改性的研究内容, 重点介绍SiC热解与外延石墨烯的特征, 石墨烯的大面积制备, 金属原子对石墨烯的掺杂、插层等改性的机制。结合扫描隧道显微镜/谱 (STM/STS) 反射式高能电子衍射 (RHEED)、原子力显微镜 (AFM)、扫描电子显微镜 (SEM)、拉曼光谱 (Raman)、光电子能谱 (XPS) 等技术手段对石墨烯与金属的复合体系进行系统的研究。
内容摘要
本书围绕SiC热解石墨烯及其金属改性的研究内容,重点介绍SiC热解与外延石墨烯的特征,石墨烯的大面积制备,金属原子对石墨烯的掺杂、插层等改性的机制。结合扫描隧道显微镜/谱(STM/STS)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)拉曼光谱(Raman)光电子能谱(XPS)等技术手段对石墨烯与金属的复合体系进行系统的研究。同时进行总结并提出未来研究展望。本书论述严谨,条理清晰,内容丰富新颖,是一本值得学习研究的著作。
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