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【假一罚四】微电子物理基础刘文楷

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作者刘文楷

出版社西安电子科技大学出版社

ISBN9787560650012

出版时间2018-12

装帧平装

开本16开

定价29元

货号26438481

上书时间2024-11-22

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品相描述：全新
商品描述
导语摘要
本书是微电子专业课程“半导体物理学”和“电子器件”的先导课程教材, 主要内容融汇了“量子力学”和“固体物理”的相关知识, 将两者有机地结合起来, 并增加了“半导体物理学”的初步知识。 
  书中涵盖了“量子力学”的基本知识点和“固体物理”中的晶体结构及能带理论, 重点讲解了量子理论的内涵和量子力学方程的应用。对“半导体物理学”中所要求掌握的理论物理知识进行了全覆盖。将量子力学理论与固体物理理论结合起来是本书的一大特点。 
  本书可作为高等院校微电子、电子、通信、自动化等相关专业的教材。



目录
第 1章  晶体结构              1 
11  半导体材料的特性              1 
12  晶体结构              1 
121  晶体的共性              2 
122  晶体的周期性              4 
13  晶列、晶面、倒格子              9 
131 基矢、晶胞              9 
132  Miller指数              9 
133  倒格子              12 
134  布里渊区              15 
14  晶体的对称性              18 
141  晶体的对称操作              19 
142  晶格结构的分类              22 
15  晶体的结合              23 
151  晶体的结合力              24 
152  金刚石结构和共价结合              29 
153  闪锌矿结构和结合性质              30 
154  纤锌矿结构和结合性质              30 
习题              31 
第 2章  量子理论基础              34 
21  经典物理学的困难              34 
211  黑体辐射              34 
212  光电效应              35 
213  原子结构的玻耳(Bohr)理论              36 
22  波函数和薛定谔方程              37 
221  薛定谔(Schrdinger)方程              37 
222  波函数的性质              39 
223  量子力学基本理论              44 
224  定态薛定谔方程              50 
23  定态薛定谔方程的应用              52 
231  一维无限势阱模型              52 
232  一维有限势阱模型              55 
233  一维线性谐振子              57 
234  势垒贯穿              60 
24  中心力场问题的薛定谔方程的求解              64 
241  动量算符、角动量算符              64 
242  电子在库仑场中的运动              67 
25  微扰理论              70 
251  非简并微扰理论              70 
252  简并定态微扰              74 
习题              78 
第 3章  能带理论基础              81 
31  周期场中电子的波函数——布洛赫函数              81 
311  一维布洛赫定理的证明              82 
312  三维布洛赫定理的证明              84 
313  简约布里渊区              85 
32   一维分析近似              86 
321  克龙尼克-潘纳(Kronig-Penny)模型              86 
322  近自由电子模型              89 
323  紧束缚近似              94 
324  导体、半导体、绝缘体的能带论解释              97 
33  半导体中电子的运动              102 
331  半导体中的能带和布里渊区              102 
332  电子在能带极值附近的近似E(k)-k关系和有效质量              103 
333  半导体中电子的平均速度、加速度              104 
334  本征半导体的导电机构、空穴              105 
34  三维扩展模型——硅、锗的能带结构              106 
341  半导体能带极值附近的能带结构              106 
342  半导体能带极值附近有效质量的确定、回旋共振              107 
343  Si、Ge的能带结构              107 
35  Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构              109 
351  GaAs的能带结构              110 
352  GaP晶体的能带结构特点              110 
353  GaAs1-xPx的能带结构              110 
习题              111 
第 4章  半导体中的杂质和缺陷能级              113 
41  半导体中的浅能级杂质              113 
411  半导体中的两类杂质              113 
412  Ge和Si中的浅能级杂质              114 
413  Ⅲ-Ⅴ族半导体（GaAs、GaP等）中的浅能级杂质              116 
414  Ⅱ-Ⅵ族半导体（CdTe、ZnS等）中的浅能级杂质              116 
42  浅能级杂质电离能的简单计算              117 
421  类氢模型              117 
422  类氢模型的合理性              118 
43  半导体中的杂质补偿效应              119 
431  杂质的补偿作用              119 
432  强补偿半导体的特殊性质              120 
433  重掺杂效应              120 
44  半导体中的深能级杂质              120 
441  Ge和Si中的深能级杂质              120 
442  Ge和Si中的Au能级              121 
443  Ⅲ-Ⅴ族半导体中的深能级杂质              122 
444  等电子陷阱              123 
45  缺陷、位错能级              124 
451  半导体中的点缺陷能级              124 
452  半导体中的位错              125 
习题              126 
第 5章  载流子的统计分布              128 
51  电子的分布函数              128 
511  F-D分布函数              128 
512  M-B分布函数              130 
52  半导体能带极值附近的能态密度              132 
521  k空间的状态密度              132 
522  半导体导带底附近和价带顶附近的状态密度              135 
523  热平衡载流子浓度(非简并半导体)              137 
53  本征半导体中的载流子浓度              141 
531  本征载流子浓度ni和pi              141 
532  本征载流子浓度随温度的变化曲线图              143 
533  半导体器件的工作温度范围              143 
54  非简并掺杂半导体中的杂质和电荷              144 
541  半导体中杂质的电离情况 (非简并情况)              144 
542  n型非简并半导体中的载流子浓度              145 
543  补偿半导体              149 
544  利用掺杂半导体的载流子浓度与温度的关系来确定器件工作温区              153 
55  简并半导体              154 
551  简并半导体中的载流子浓度              154 
552  简并化条件              154 
553  简并化效应              155 
56  过剩载流子的注入与复合              155 
561  非平衡载流子的产生              155 
562  非平衡载流子的特性              156 
563  非平衡载流子的寿命              157 
564  准费米能级和非平衡载流子浓度              158 
57  非平衡载流子的复合理论              159 
571  非平衡载流子复合的机理              159 
572  复合的分类              160 
58  陷阱效应              161 
习题              162 
第 6章  半导体的输运性质              164 
61  载流子迁移率和半导体电导率              164 
611  漂移电流和迁移率              164 
612  半导体的电导率              166 
62  半导体中载流子的散射              166 
621  载流子散射的概念              166 
622  半导体中载流子遭受散射的机构              167 
623  晶格热振动的规律              168 
63  电阻率与杂质浓度和温度的关系              170 
631  电导率、迁移率与平均自由时间的关系              170 
632  迁移率与杂质浓度、温度的关系              172 
633  半导体电阻率及其与杂质浓度和温度的关系              173 
634  四探针法测电阻率              173 
64  半导体的Boltzmann输运方程              174 
641  分析载流子输运的分布函数法              174 
642  Boltzmann方程              175 
643  Boltzmann输运方程的弛豫时间近似              176 
644  半导体电导率的统计计算              176 
645  球形等能面均匀半导体在弱电场和无温度梯度时的电导率              177 
65  强电场效应              179 
651  强电场/窄尺寸效应              179 
652  多能谷散射              181 
66  载流子的扩散运动              183 
661  载流子的扩散运动              183 
662  扩散电流              184 
663  爱因斯坦关系式              184 
67  半导体的磁阻效应              185 
671  半导体的Hall效应              185 
672  半导体的磁阻效应              187 
673  半导体的热传导              187 
674  半导体的热电效应              188 
675  半导体的热磁效应              190 
习题              191 
参考文献              192



内容摘要
本书是微电子专业课程“半导体物理学”和“电子器件”的先导课程教材, 主要内容融汇了“量子力学”和“固体物理”的相关知识, 将两者有机地结合起来, 并增加了“半导体物理学”的初步知识。 
  书中涵盖了“量子力学”的基本知识点和“固体物理”中的晶体结构及能带理论, 重点讲解了量子理论的内涵和量子力学方程的应用。对“半导体物理学”中所要求掌握的理论物理知识进行了全覆盖。将量子力学理论与固体物理理论结合起来是本书的一大特点。 
  本书可作为高等院校微电子、电子、通信、自动化等相关专业的教材。



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