【假一罚四】先进计算光刻李艳秋
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浙江嘉兴
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作者李艳秋
出版社科学出版社
ISBN9787030781246
出版时间2023-08
装帧精装
开本其他
定价130元
货号15820809
上书时间2024-07-21
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商品详情
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目录
目录
序
前言
第1章 绪论1
1.1 光刻机和光刻成像1
1.1.1 光刻机简史1
1.1.2 光刻成像及其性能指标2
1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3
1.2 传统分辨率增强技术7
1.2.1 离轴照明7
1.2.2 相移掩模8
1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9
1.2.4 偏振照明9
1.3 计算光刻技术11
1.3.1 光刻成像模型11
1.3.2 先进计算光刻目标函数14
1.3.3 先进计算光刻算法16
参考文献18
第2章 矢量计算光刻技术24
2.1 矢量光刻成像理论基础24
2.1.1 二维矢量成像模型24
2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31
2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38
2.2 零误差矢量计算光刻技术47
2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47
2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68
参考文献88
第3章 快速-全芯片计算光刻技术92
3.1 压缩感知计算光刻技术92
3.1.1 压缩感知光源优化技术92
3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104
3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113
3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113
3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122
3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129
参考文献133
第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137
4.1 误差对计算光刻的影响137
4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137
4.1.2 波像差对计算光刻的影响138
4.1.3 偏振像差对计算光刻的影响141
4.1.4 光源非均匀性与杂散光对计算光刻的影响142
4.2 高稳定-高保真光源-掩模优化技术145
4.2.1 低误差敏感度的光源-掩模优化技术145
4.2.2 全视场多目标光源-掩模优化技术168
4.3 高稳定-高保真光瞳优化技术183
4.3.1 多目标标量光瞳优化技术184
4.3.2 多目标矢量光瞳优化技术200
参考文献212
第5章 光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻技术215
5.1 多参数协同优化技术基础215
5.1.1 工艺参数对图形保真的影响215
5.1.2 多目标函数构建219
5.1.3 多参数协同优化方法219
5.2 多参数协同优化技术及应用222
5.2.1 零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用222
5.2.2 非零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用227
参考文献231
内容摘要
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中，建立的先进计算光刻技术，包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等，能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源，无法很好匹配实际光刻系统之所需，导致增加工艺迭代时间的问题。
本书可供从事光学成像、计算成像、计算光刻、芯片制造工艺、光刻机曝光系统设计加工-检测-集成协同研制、空间光学、高性能光学仪器等领域的师生、科研人员、工程师、软件开发人员学习。
精彩内容
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中，建立的先进计算光刻技术，包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等，能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源，无法很好匹配实际光刻系统之所需，导致增加工艺迭代时间的问题。
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