【假一罚四】离子注入法制备石墨烯张瑞
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浙江嘉兴
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作者张瑞
出版社中国原子能出版传媒有限公司
ISBN9787522103846
出版时间2021-01
装帧平装
开本16开
定价66元
货号10799583
上书时间2024-06-05
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作者简介
目录
引言
第1章 石墨烯概论
1．1 碳同素异形体的发展
1．2 石墨烯的简介
参考文献
第2章 离子注入及石墨烯制备方法
2．1 离子注入技术发展
2．2 离子与固体相互作用
2．3 离子注入
2．4 半导体器件制备中的应用
2．5 在器件生产中离子注入问题
2．6 离子注入制备石墨烯
参考文献
第3章 离子注入法合成石墨烯的前期探索
3．1 离子注人镍膜合成厚度可调的石墨烯层
3．2 离子注人镍薄膜合成少层石墨烯
3．3 高温碳注入镍膜获得多层石墨烯
3．4 碳离子注入镍膜并快速热退火后局域生长石墨烯
3．5 利用高温碳离子注入合成晶圆级多层石墨烯
参考文献
第4章 团簇离子注入制备石墨烯的研究
4．1 团簇离子注入制备石墨烯及非线性损伤效应的研究
4．2 超低能负团簇离子束系统及其在制备少层石墨烯中的应用
4．3 采用团簇离子束注入合成高质量石墨烯
4．4 C2-C6团簇离子注入制备少层石墨烯的拉曼光谱研究
4．5 通过离子注人法在SiO2/Si上直接合成石墨烯
4．6 探索团簇离子注入的制备方法：从超薄碳膜到石墨烯
4．7 低能团簇负离子束研究
4．8 负碳团簇离子注入铜箔制备石墨烯
参考文献
第5章 离子注入SiC合成石墨烯
5．1 通过离子注入法在SiC上刻画石墨烯纳米带
5．2 通过离子注入和脉冲激光退火对SiC进行低温选择性石墨化
参考文献
第6章 离子注入碳化硅合成石墨烯的研究
6．1 碳化硅上合成石墨烯：通过碳团簇和氩离子注入降低石墨化温度
6．2 离子束混合技术在SiC上无转移合成类石墨烯的原子级薄碳膜
参考文献
结束语
精彩内容
离子注入方法是近年来兴起的一种可以制备大面积、高质量石墨烯的方法。《离子注入法制备石墨烯》就团簇离子注入合成低缺陷石墨烯，超低能负团簇离子束系统及其在制备少层石墨烯中的应用，直接在衬底上合成石墨烯，负碳团簇离子注入铜箔制备石墨烯，碳化硅上合成石墨烯：通过碳团簇和氩离子注入降低石墨化温度，离子束混合技术在SiC上无转移合成类石墨烯的原子级薄碳膜等多个方面做了详细介绍。
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