微电子技术基础
￥ 23.94 5.0折 ￥ 48 九五品
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浙江杭州
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作者徐金甫
出版社电子工业出版社
ISBN9787121439612
出版时间2022-07
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数220页
定价48元
上书时间2024-12-21
商品详情
- 品相描述：九五品
- 商品描述
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基本信息
书名:微电子技术基础
定价：48.00元
作者:徐金甫
出版社：电子工业出版社
出版日期：2022-07-01
ISBN：9787121439612
字数：
页码：220
版次：
装帧：平装
开本：16开
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内容提要
本书较全面地介绍微电子技术领域的基础知识，涵盖了半导体基础理论、集成电路设计方法及制造工艺等。全书共6章，主要内容包括：绪论、半导体物理基础、半导体器件物理基础、大规模集成电路基础、集成电路制造工艺、集成电路工艺仿真等。全书内容丰富翔实、理论分析全面透彻、概念讲解深入浅出，各章末尾均列有习题和参考文献。本书提供配套的电子课件PPT、习题参考答案等。本书可作为高等学校非微电子专业的工科电子信息类专业学生的教材，也可供相关领域的工程技术人员学习、参考。
目录
章 绪论t11．1 微电子学和集成电路t11．2 集成电路的发展简史t21．2．1 个晶体管的发明t21．2．2 块集成电路t31．2．3 集成电路蓬勃发展t41．2．4 集成电路的发展特点和规律t51．3 集成电路的分类t71．3．1 按器件结构类型分类t71．3．2 按集成电路规模分类t81．3．3 按电路功能分类t91．4 集成电路设计制造流程和产业构成t101．5 微电子学的发展方向t111．5．1 后CMOS纳米器件的发展t121．5．2 新一代半导体材料t131．5．3 微型传感器t141．5．4 摩尔定律t14习题1t15参考文献t15第2章 半导体物理基础t162．1 固体晶格结构t162．1．1 半导体材料t162．1．2 固体类型t172．1．3 空间晶格结构t182．1．4 原子价键t192．2 固体量子理论初步t202．2．1 量子态t202．2．2 能级t212．2．3 能带理论t222．2．4 导体、半导体、绝缘体的能带t242．3 半导体的掺杂t242．3．1 半导体中的载流子t252．3．2 本征半导体t262．3．3 杂质半导体及其杂质能级t262．3．4 杂质的补偿作用t292．4 半导体中载流子的统计分布t302．4．1 状态密度t302．4．2 热平衡和费米分布函数t312．4．3 电子和空穴的平衡分布t332．4．4 本征半导体的载流子浓度t352．4．5 杂质半导体的载流子浓度t362．5 载流子的漂移与半导体的导电性t402．5．1 载流子的热运动t402．5．2 载流子的漂移运动和迁移率t412．5．3 迁移率和半导体的导电性t422．5．4 载流子的散射t432．5．5 影响迁移率的主要因素t442．5．6 电阻率与掺杂浓度、温度的关系t462．6 非平衡载流子t482．6．1 非平衡载流子的产生与复合t482．6．2 准费米能级t502．6．3 载流子的扩散运动t512．6．4 爱因斯坦关系式t532．6．5 连续性方程t54习题2t55参考文献t57第3章 半导体器件物理基础t583．1 PN结t583．1．1 PN结的形成t583．1．2 平衡PN结t593．1．3 PN结的正向特性t653．1．4 PN结的反向特性t683．1．5 PN结的击穿特性t703．1．6 PN结的电容效应t723．1．7 PN结的开关特性t743．2 双极型晶体管t753．2．1 双极型晶体管的基本结构t763．2．2 双极型晶体管的电流放大原理t773．2．3 双极型晶体管的直流特性曲线t833．2．4 双极型晶体管的反向电流和击穿特性t863．2．5 双极型晶体管的频率特性t883．2．6 双极型晶体管的开关特性t893．3 MOS场效应晶体管t923．3．1 MOS场效应晶体管的基本结构t923．3．2 MIS结构t943．3．3 MOS场效应晶体管的直流特性t973．3．4 MOS场效应晶体管的交流特性t1023．3．5 MOS场效应晶体管的种类t1063．4 集成电路中的器件结构t1083．4．1 电学隔离t1083．4．2 二极管的结构t1093．4．3 双极型晶体管的结构t1103．4．4 MOS场效应晶体管的结构t111习题3t112参考文献t113第4章 大规模集成电路基础t1144．1 CMOS反相器t1144．1．1 直流特性t1144．1．2 开关特性t1154．1．3 功耗特性t1164．1．4 CMOS反相器的版图t1184．1．5 基于FinFET结构的反相器t1194．2 CMOS逻辑门t1214．2．1 CMOS与非门和或非门t1214．2．2 等效反相器设计t1234．2．3 其他CMOS逻辑门t1234．3 MOS晶体管开关逻辑t1294．3．1 数据选择器（MUX）t1294．3．2 多路转换开关t1304．4 典型CMOS时序逻辑电路t1314．4．1 RS锁存器t1314．4．2 D锁存器和边沿触发器t1324．4．3 施密特触发器t1344．5 存储器t1354．5．1 只读存储器（ROM）t1364．5．2 静态随机存储器（SRAM）t1384．5．3 快闪电擦除可编程只读存储器t140习题4t141参考文献t141第5章 集成电路制造工艺t1425．1 平面硅工艺的基本流程t1425．1．1 集成电路工艺分类t1425．1．2 CMOS集成电路工艺发展历史t1435．1．3 集成电路制造的工艺流程t1455．1．4 集成电路制造的工序分类t1495．2 硅晶圆的制备t1495．2．1 硅晶圆制备的基本过程t1505．2．2 多晶硅的制备t1505．2．3 单晶硅的制备t1515．2．4 单晶硅的后处理t1525．3 氧化t1555．3．1 SiO2的结构和参数t1555．3．2 SiO2在集成电路中的应用t1565．3．3 热氧化前清洗t1575．3．4 热氧化方法t1575．3．5 氧化薄膜的质量检测t1595．3．6 其他热处理过程t1605．4 光刻t1615．4．1 光刻的基本要求t1615．4．2 光刻的基本流程t1625．4．3 刻蚀工艺t1645．4．4 光刻胶t1665．4．5 曝光方式t1665．4．6 超细线条光刻技术t1675．5 掺杂t1695．5．1 扩散的基本原理t1695．5．2 扩散的主要方法t1705．5．3 离子注入技术t1715．5．4 离子注入设备t1725．5．5 离子注入后的退火过程t1745．6 金属化t1745．6．1 金属材料t1745．6．2 金属的淀积工艺t1755．6．3 大马士革工艺t1775．6．4 金属硅化物及复合栅t1785．6．5 多层互连结构t1795．7 集成电路封装t1795．7．1 减薄与划片t1795．7．2 IC封装概述t1805．7．3 一级封装t1815．7．4 二级封装t1825．7．5 先进封装技术介绍t183习题5t186参考文献t186第6章 集成电路工艺仿真t1886．1 TCAD软件简介t1886．1．1 TCAD仿真原理t1886．1．2 Silvaco TCAD简介t1896．1．3 TCAD软件的发展方向t1916．2 单步工艺的仿真实现t1926．2．1 干法氧化工艺的仿真t1926．2．2 离子注入工艺的仿真t1956．3 NMOS器件工艺仿真及器件特性分析t1976．3．1 NMOS器件工艺仿真t1976．3．2 NMOS器件电学特性仿真t205习题6t208参考文献t208
作者介绍
徐金甫，博士，信息工程大学教授，微电子学与固体电子学硕士研究生导师。长期从事专用集成电路设计方面的教学和科研工作。
序言
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【封面】
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