半导体制造技术
￥ 87.6 ￥ 79 九五品
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作者(美)夸克,(美)瑟达 著,韩郑生 等译
出版社电子工业出版社
ISBN9787121260834
出版时间2015-06
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数600页
字数99999千字
定价79元
上书时间2024-12-21
商品详情
- 品相描述：九五品
- 商品描述
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基本信息
书名:半导体制造技术
定价：79.00元
作者:(美)夸克,(美)瑟达 著,韩郑生 等译
出版社：电子工业出版社
出版日期：2015-06-01
ISBN：9787121260834
字数：986000
页码：600
版次：1
装帧：平装
开本：16开
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《国外电子与通信教材系列:半导体制造技术》旨在介绍半导体集成电路产业中的新工具和技术，以便提离读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25μm（0.18μm及以下）工艺的新技术，通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。书中包括铜互连、化学机械平坦化（CMP）、低k介质工艺、浅槽隔离（STI）、深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜金属化等。书中还解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备，以及工艺需求和设备性能的技术关系，并给出了设备潜在性能与制造所需工艺参数之间的折中。
内容提要
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
目录
章 半导体产业介绍目标1.1 引言1.2 产业的发展1.3 电路集成1.4 集成电路制造1.5 半导体趋势1.6 电子时代1.7 在半导体制造业中的职业1.8 小结第2章 半导体材料特性目标2.1 引言2.2 原子结构2.3 周期表2.4 材料分类2.5 硅2.6 可选择的半导体材料2.7 小结第3章 器件技术目标3.1 引言3.2 电路类型3.3 无源元件结构3.4 有源元件结构3.5 CMOS器件的闩锁效应3.6 集成电路产品3.7 小结第4章 硅和硅片制备目标4.1 引言4.2 半导体级硅4.3 晶体结构4.4 晶向4.5 单晶硅生长4.6 硅中的晶体缺陷4.7 硅片制备4.8 质量测量4.9 外延层4.10 小结第5章 半导体制造中的化学品目标5.1 引言5.2 物质形态5.3 材料的属性5.4 工艺用化学品5.5 小结第6章 硅片制造中的沾污控制目标6.1 引言6.2 沾污的类型6.3 沾污的源与控制6.4 硅片湿法清洗6.5 小结第7章 测量学和缺陷检查目标7.1 引言7.2 集成电路测量学7.3 质量测量7.4 分析设备7.5 小结第8章 工艺腔内的气体控制目标8.1 引言8.2 真空8.3 真空泵8.4 工艺腔内的气流8.5 残气分析器8.6 等离子体8.7 工艺腔的沾污8.8 小结第9章 集成电路制造工艺概况目标9.1 引言9.2 CMOS工艺流程9.3 CMOS制作步骤9.4 小结0章 氧化目标10.1 引言10.2 氧化膜10.3 热氧化生长10.4 高温炉设备10.5 卧式与立式炉10.6 氧化工艺10.7 质量测量10.8 氧化检查及故障排除10.9 小结1章 淀积目标11.1 引言11.2 膜淀积11.3 化学气相淀积11.4 CVD淀积系统11.5 介质及其性能11.6 旋涂绝缘介质11.7 外延11.8 CVD质量测量11.9 CVD检查及故障排除11.10 小结2章 金属化目标12.1 引言12.2 金属类型12.3 金属淀积系统12.4 金属化方案12.5 金属化质量测量12.6 金属化检查及故障排除12.7 小结3章 光刻：气相成底膜到软烘目标13.1 引言13.2 光刻工艺13.3 光刻工艺的8个基本步骤13.4 气相成底膜处理13.5 旋转涂胶13.6 软烘13.7 光刻胶质量测量13.8 光刻胶检查及故障排除13.9 小结4章 光刻：对准和曝光目标14.1 引言14.2 光学光刻14.3 光刻设备14.4 混合和匹配14.5 对准和曝光质量测量14.6 对准和曝光检查及故障排除14.7 小结5章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术目标15.1 引言15.2 曝光后烘焙15.3 显影15.4 坚膜15.5 显影检查15.6 先进的光刻技术15.7 显影质量测量15.8 显影检查及故障排除15.9 小结6章 刻蚀目标16.1 引言16.2 刻蚀参数16.3 干法刻蚀16.4 等离子体刻蚀反应器16.5 干法刻蚀的应用16.6 湿法腐蚀16.7 刻蚀技术的发展历程16.8 去除光刻胶16.9 刻蚀检查16.10 刻蚀质量测量16.11 干法刻蚀检查及故障排除16.12 小结7章 离子注入目标17.1 引言17.2 扩散17.3 离子注入17.4 离子注入机17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势17.6 离子注入质量测量17.7 离子注入检查及故障排除17.8 小结8章 化学机械平坦化目标18.1 引言18.2 传统的平坦化技术18.3 化学机械平坦化18.4 CMP应用18.5 CMP质量测量18.6 CMP检查及故障排除18.7 小结9章 硅片测试目标19.1 引言19.2 硅片测试19.3 测试质量测量19.4 测试检查及故障排除19.5 小结第20章 装配与封装目标20.1 引言20.2 传统装配20.3 传统封装20.4 先进的装配与封装20.5 封装与装配质量测量20.6 集成电路封装检查及故障排除20.7 小结附录A 化学品及安全性附录B 净化间的沾污控制附录C 单位附录D 作为氧化层厚度函数的颜色附录E 光刻胶化学的概要附录F 刻蚀化学
作者介绍
作者:Michael Quirk、 Julian Serda (迈克尔.夸克 朱利安.瑟达 ) 译者:韩郑生 等Michael Quirk致力于半导体工艺方面的培训课程。Julian Serda：任职于AMD公司。
序言
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