超大规模集成电路设计导论
￥ 12.92 5.0折 ￥ 26 九五品
仅1件
作者蔡懿慈,周强 编著
出版社清华大学出版社
ISBN9787302099529
出版时间2005-01
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数268页
字数99999千字
定价26元
上书时间2024-07-10
商品详情
- 品相描述：九五品
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基本信息
书名:超大规模集成电路设计导论
定价：26.00元
作者:蔡懿慈,周强 编著
出版社：清华大学出版社
出版日期：2005-01-01
ISBN：9787302099529
字数：412000
页码：268
版次：1
装帧：平装
开本：16开
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内容提要
目录
章 集成电路设计概论 1.1 集成电路的发展 1.2 集成电路设计的发展 1.3 电子设计自动化技术的发展 1.4 深亚微米和超深亚微米工艺对EDA技术的挑战 1.5 VLSI设计的要求 1.6 VLSI的设计方法学 习题第2章 CMOS集成电路制造技术 2.1 半导体材料--硅 2.2 集成电路制造技术简介 2.2.1 热氧化工艺 2.2.2 扩散工艺 2.2.3 淀积工艺 2.2.4 光刻工艺 2.3 CMOS集成电路制造过程 2.3.1 晶圆处理 2.3.2 CMOS集成电路工艺(前部工序) 2.3.3 后部工序 习题第3章 器件设计技术 3.1 引言 3.2 MOS晶体管的工作原理 3.2.1 半导体的表面场效应 3.2.2 PN结的单向导电性 3.2.3 MOS管的工作原理 3.3 MOS晶体管的直流特性 3.3.1 NMOS管的电流-电压特性 3.3.2 PMOS管的电流-电压特性 3.4 反相器直流特性 3.4.1 MOS反相器的一般问题 3.4.2 电阻负载反相器(E／R) 3.4.3 增强型负载反相器(E／E) 3.4.4 耗尽型负载反相器(E／D) 3.4.5 CMOS反相器 习题 第4章 电路参数及性能 4.1 MOS晶体管的参数 4.1.1 阈值(开启)电压 4.1.2 沟道长度调制效应 4.1.3 漏-源截止电流 4.1.4 直流导通电阻 4.1.5 栅-源直流输入电阻· 4.1.6 栅-源击穿电压 4.1.7 漏-源击穿电压 4.2 信号传输延迟 4.2.1 CMOS门延迟 4.2.2 连线延迟 4.2.3 电路扇出延迟 4.2.4 大电容负载驱动电路 4.3 CMOS电路功耗 4.3.1 CMOS电路的静态功耗 4.3.2 CMOS电路的动态功耗 4.3.3 电路总功耗 4.3.4 功耗管理 4.4 CMOS电路的闸流效应 4.4.1 闸流效应的起因 4.4.2 闸流效应的控制 4.5 电路模拟HSPICE简介 ……第5章 逻辑设计技术第6章 子系统设计第7章 版图设计技术第8章 系统设计方法与实现技术第9章 数字系统设计自动化参考文献
作者介绍
序言
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【封面】
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