半导体物理基础教程
￥ 12.58 4.3折 ￥ 29 九五品
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作者郭子政
出版社清华大学出版社
ISBN9787302459040
出版时间2017-02
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数149页
字数99999千字
定价29元
上书时间2024-07-07
商品详情
- 品相描述：九五品
- 商品描述
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基本信息
书名:半导体物理基础教程
定价：29.00元
作者:郭子政
出版社：清华大学出版社
出版日期：2017-02-01
ISBN：9787302459040
字数：251000
页码：149
版次：1
装帧：平装
开本：16开
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编辑推荐
在过去半个多世纪的时间里，半导体物理的研究揭示出许多崭新的物理现象（比如量子隧道效应、量子霍尔效应等等）， 并多次获得诺贝尔物理学奖。半导体物理的研究还为人类社会特别是信息社会的发展奠定了几乎全部的基础和支柱（从信息的接受，处理，发射到传输无一不是基于半导体器件）。在这样一个半导体时代，越来越多的人希望能对周围的技术、仪器的原理有所了解。本书尝试用一种通俗易懂的方式和语言介绍半导体物理学的基础理论和器件应用，为那些立志从事微电子科学与技术领域的进一步学习和研发的读者奠定基础。
内容提要
本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.
目录
目录章半导体晶体结构1.1晶体与非晶体1.2晶体结构1.3半导体的晶体结构习题第2章半导体的能带2.1能带的形成2.2半导体中电子共有化运动与能带的量子力学描述2.3半导体中的E(k)~k关系及有效质量2.4硅、锗和砷化镓的能带结构2.5本征半导体、本征激发和空穴2.6能带理论应用举例习题第3章杂质半导体和杂质能级3.1间隙式杂质和替位式杂质3.2施主和受主3.3杂质补偿3.4深能级杂质习题第4章半导体中的平衡载流子4.1加权求和和加权平均4.2理想气体分子按速率的分布4.3导带电子浓度与价带空穴浓度4.4本征载流子浓度与本征费米能级4.5杂质半导体的载流子浓度习题第5章半导体中载流子的输运现象5.1半导体中载流子的运动形式5.1.1无规则运动——热运动5.1.2有规则运动5.2主要散射机构以及迁移率与平均自由时间的关系5.3迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系5.4强电场效应5.5耿氏效应5.5.1伏安特性5.5.2νd~ε特性5.5.3双谷模型理论习题第6章非平衡载流子6.1过剩载流子及其产生与复合6.2非平衡载流子的寿命6.3准费米能级6.4载流子的扩散运动、爱因斯坦关系6.5连续性方程习题第7章pn结7.1pn结的单向导电性7.1.1平衡pn结7.1.2pn结的伏安特性7.2pn结电容7.2.1势垒电容7.2.2扩散电容7.3pn结击穿7.4pn结隧道效应习题第8章金属半导体接触8.1两类接触8.2肖特基势垒8.3金属半导体整流接触的电流电压关系8.4欧姆接触习题第9章MOS结构9.1MOS电容9.2能带图9.3MOS结构的CV特性9.4MOSFET基本工作原理9.5MOS存储器结构9.6鳍式晶体管习题0章半导体异质结构10.1异质结10.2异质结的能带图10.3量子阱和超晶格10.4异质结激光器10.5晶格匹配和热匹配习题1章半导体电光和光电转换效应11.1光是怎么产生的11.2电致发光和LED11.3白光LED11.4OLED11.5半导体光电效应11.5.1光电效应11.5.2半导体的内光电效应11.6半导体光伏效应的应用习题2章半导体低维结构12.1量子受限系2.2量子限域效应12.2.1量子阱12.2.2量子线12.2.3量子点12.2.4态密度习题3章半导体磁效应13.1到了重新发明晶体管的时候了？13.2自旋和自旋电子学13.3半导体的磁效应13.4自旋霍尔效应习题4章隧道型量子器件基础14.1半导体隧道效应14.1.1共振隧穿二极管RTD14.1.2隧穿场效应管14.2透射系数14.2.1WKB近似14.2.2传输矩阵方法14.3隧穿电流14.4半导体中的隧穿14.4.1p n 结隧穿： 齐纳隧穿14.4.2MIS(MOS)隧穿: FowlerNordheim隧穿14.4.3MIM隧穿： Simmons公式习题习题参考答案参考文献
作者介绍
序言
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