固态表面、界面与薄膜
￥ 86.85 6.8折 ￥ 128 九五品
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作者HansLüth著,王聪,孙莹,王蕾
出版社高等教育出版社
ISBN9787040478549
出版时间2019-04
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数585页
定价128元
上书时间2024-05-21
商品详情
- 品相描述：九五品
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基本信息
书名:固态表面、界面与薄膜
定价：128.00元
作者:HansLüth著,王聪,孙莹,王蕾
出版社：高等教育出版社
出版日期：2019-04-01
ISBN：9787040478549
字数：
页码：585
版次：
装帧：平装
开本：16开
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内容提要
《固态表面、界面与薄膜（第6版）/材料科学经典著作选译》从实验和理论两方面探讨了表面与界面的物理问题。除了探讨真正意义上的固态表面与界面的制备技术外，还重点探讨了界面的结构、振动态及电学性质的基本物理模型，也涉及表面吸附与薄膜层状生长的基本问题。由于现代微电子学的重要性，《固态表面、界面与薄膜（第6版）/材料科学经典著作选译》还特别强调了半导体界面和异质结的电学性质。在实验方面，《固态表面、界面与薄膜（第6版）/材料科学经典著作选译》的另一大特点是通过一系列“附录”的形式讲述了超高真空、电子光学、表面谱学和界面电学等表征技术方面的基础知识，为读者提供了快速、全面了解现代各种表面、界面表征技术的重要信息。 在早期版本中，表面和薄膜的制备，原子结构、形貌，振动态与电子输运性质以及吸附的基础知识均被论及。表面和界面的电子态、半导体空间电荷层和异质结等内容由于在现代信息技术和纳米结构研究中的重要性也被重点论述。第六版增加了特殊的章节，重点描述界面和薄膜的集体耦合行为，例如超导电性和磁学，而磁学的讨论中又包括了巨磁阻和自旋矩传输机理等重要内容，这两部分内容在信息技术中均具有重要价值。此外还首次讨论了自旋轨道耦合对于表面态的影响，也讨论了近来研究较热的、对自旋电子学具有重要价值的拓扑绝缘体材料，专门论述了满足严格定义的自旋取向的新型拓扑保护表面态，尤其是补充了在早期版本中被忽略的一些重要的、成熟的实验技术，例如X射线衍射（XRD）、各向异性反射光谱（RAS）等。
目录
章 表面、界面物理：定义及其重要性附录Ⅰ 超高真空（UHV）技术附录Ⅱ 粒子光学和光谱学的基础问题第2章 严格定义的表面、界面及薄膜的制备2．1 需要超高真空的原因2．2 UHV条件下的材料界面解理2．3 离子轰击与退火2．4 蒸发与分子束外延（MBE）2．5 利用化学反应外延生长膜附录Ⅲ 俄歇电子能谱（AES）附录Ⅳ 二次离子质谱（SIMS）问题第3章 表面、界面和薄膜的形貌与结构3．1 表面应力、表面能和宏观形状3．2 弛豫、重构和缺陷3．3 二维点阵、超结构和倒易空间3．3．1 表面点阵和超结构3．3．2 二维倒易点阵列3．4 固一固界面结构模型3．5 薄膜的形核和生长3．5．1 薄膜生长的模型3．5．2 形核的“毛细模型3．6 薄膜生长研究：实验方法和结果附录Ⅴ 扫描电子显微镜（SEM）和微探针技术附录Ⅵ 扫描隧道显微镜（STM）附录Ⅶ 表面扩展X射线吸收精细结构（SEXAFS）问题第4章 表面和薄膜散射4．1 表面散射运动学理论4．2 低能电子衍射的运动学理论4．3 从LEED图中能知道什么4．4 动力学LEED理论和结构分析4．4．1 匹配公式化4．4．2 多重散射理论体系4．4．3 结构分析4．5 非弹性表面散射实验的运动学理论4．6 非弹性电子散射的电介质理论4．6．1 固体散射4．6．2 表面散射4．7 薄表面层的介电散射4．8 一些低能电子在表面非弹性散射的实验例子4．9 颗粒散射的经典限制条件4．10 原子碰撞的守恒定律：表面化学分析4．11 卢瑟福背散射（RBS）：通道和阻塞附录Ⅷ 低能电子衍射（LEED）和反射高能电子衍射（RHEED）附录Ⅸ X射线衍射（XRD）对薄膜特性的描述附录Ⅹ 电子能量损失谱（EELS）问题第5章 表面声子5．1 线性链上的“表面”晶格振动的存在5．2 扩展到具有表面的三维固体5．3 瑞利波5．4 作为高频过滤器的瑞利波的应用5．5 表面一声子（等离子体激元）极化子5．6 实验和实际计算的散射曲线附录Ⅺ 原子和分子束散射问题第6章 表面电子态6．1 近自由电子模型中半无限链的表面电子态6．2 三维晶体表面态及其带电特征6．2．1 本征表面态6．2．2 非本征表面态6．3 光电发射理论6．3．1 概述6．3．2 角积分的光电发射6．3．3 体与表面态发射6．3．4 初始态的对称性和选择定则6．3．5 多体方面6．4 一些金属表面态能带结构6．4．1 类s和类p表面态6．4．2 类d表面态6．4．3 空表面态和像势表面态6．5 半导体的表面态6．5．1 元素半导体6．5．2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体6．5．3 Ⅲ族氮化物6．5．4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体6．6 表面态自旋轨道耦合6．6．1 在二维电子气中的自旋轨道耦合6．6．2 Au和半金属表面自旋分裂表面态6．6．3 拓扑绝缘体表面态附录Ⅻ 光电发射和逆光电发射问题第7章 半导体界面的空间电荷层7．1 空间电荷层的定义与分类7．2 肖特基耗尽空间电荷层7．3 弱空间电荷层7．4 高度简并半导体的空间电荷层7．5 空间电荷层与费米能级钉扎的一般情况7．6 量子化聚集与反型层7．7 特殊界面及其表面势7．8 硅MOS场效应晶体管7．9 磁场导致的量子效应7．10 二维等离子体激元附录Ⅷ 光学表面技术问题第8章 金属一半导体结和半导体异质结8．1 决定固一固界面电子结构的一般原理8．2 金属一半导体界面的金属诱导间隙态8．3 在半导体异质结界面的VIGS8．4 界面态的结构与化学性质依赖的模型8．5 金属一半导体结与半导体异质结构的应用8．5．1 肖特基势垒8．5．2 半导体异质结和调制掺杂8．5．3 高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）8．6 在半导体界面二维电子气的量子效应附录ⅪⅤ 肖特基势垒高度与能带迁移的电子学测量问题第9章 界面处的集体现象：超导电性和铁磁性9．1 在界面的超导电性9．1．1 基本表述9．1．2 超导电性的基础9．1．3 Andreev反射9．1．4 贯穿正常导体一超导体界面输运现象的简单模型9．2 具有弹道传输行为的约瑟夫森结9．2．1 约瑟夫森效应9．2．2 约瑟夫森电流和Andreev能级9．2．3 亚简谐能隙结构9．3 超导体一半导体2DEG一超导约瑟夫森结的实验例证9．3．1 Nb一2DEG—Nb结的制备9．3．2 通过Nb一2DEG—Nb结的临界电流9．3．3 电流载荷区9．3．4 非平衡载流子的超流控制9．4 表面与薄膜内的铁磁性9．4．1 铁磁性的能带模型9．4．2 降维体系的铁磁理论9．5 磁量子阱态9．6 磁性层间耦合9．7 巨磁阻和自旋转矩机制9．7．1 巨磁阻（GMR）9．7．2 磁各向异性和磁畴9．7．3 自旋转矩效应：磁开关器件附录ⅩⅤ 磁光特性：克尔效应附录ⅩⅥ 自旋极化扫描隧道显微镜（sP—sTM）问题0章 固体表面的吸附现象10．1 物理吸附10．2 化学吸附10．3 吸附物导致功函数变化10．4 吸附层的二维相转变10．5 吸附动力学附录ⅩⅦ 解吸附技术附录ⅩⅧ 用于功函数变化与半导体界面研究的开尔文探针和光电发射测量问题参考文献章第2章第3章第4章第5章第6章第7章第8章第9章0章中英文名词对照表
作者介绍
序言
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