• 模拟电路版图的艺术
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模拟电路版图的艺术

58 8.9折 65 九五品

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北京通州
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作者(美)黒斯廷斯

出版社电子工业出版社

ISBN9787121143939

出版时间2011-09

版次1

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

页数556页

字数99999千字

定价65元

上书时间2024-04-07

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品相描述:九五品
商品描述
基本信息
书名:模拟电路版图的艺术
定价:65.00元
作者:(美)黒斯廷斯
出版社:电子工业出版社
出版日期:2011-09-01
ISBN:9787121143939
字数:890000
页码:556
版次:2
装帧:平装
开本:12开
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编辑推荐
《模拟电路版图的艺术(第2版)》是模拟集成电路版图设计领域的一部力作,自 版正式出版以来一直受到广大读者的普遍欢迎,这也是促成第二版和中译本出现的主要原因。作者Alan Hastings是业界,在版图设计领域享有崇高的声望。本书结构合理、内容丰富、特色鲜明,读者无须掌握过多的器件物理和半导体工艺知识即可对模拟集成电路版图设计的理论和方法有完整而深刻的认识。书中大量的实例和习题有助于动手和实践能力的培养。
内容提要
本书以实用和性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容;基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺:标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺,重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题,二极管设计,双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用,以及某些专门领域的内容,包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等;最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。
目录
章 器件物理 1.1 半导体 1.2 PN结 1.3 双极型晶体管 1.4 MOS晶体管 1.5 JFET晶体管 1.6 小结 1.7 习题第2章 半导体制造 2.1 硅制造 2.2 光刻技术 2.3 氧化物生长和去除 2.4 扩散和离子注入 2.5 硅淀积和刻蚀 2.6 金属化 2.7 组装 2.8 小结 2.9 习题第3章 典型工艺 3.1 标准双极工艺 3.2 多晶硅栅CMOS工艺 3.3 模拟BiCMOS 3.4 小结 3.5 习题第4章 失效机制 4.1 电过应力 4.2 玷污 4.3 表面效应 4.4 寄生效应 4.5 小结 4.6 习题第5章 电阻 5.1 电阻率和方块电阻(薄层电阻) 5.2 电阻版图 5.3 电阻变化 5.4 电阻的寄生效应 5.5 不同电阻类型的比较 5.6 调整电阻阻值 5.7 小结 5.8 习题第6章 电容和电感 6.1 电容 6.2 电感 6.3 小结 6.4 习题第7章 电阻和电容的匹配 7.1 失配的测量 7.2 失配的原因 7.3 器件匹配规则 7.4 小结 7.5 习题第8章 双极型晶体管 8.1 双极型晶体管的工作原理 8.2 标准双极型小信号晶体管 8.3 CMOS和BiCMOS工艺小信号双极型晶体管 8.4 小结 8.5 习题第9章 双极型晶体管的应用 9.1 功率双极型晶体管 9.2 双极型晶体管匹配 9.3 双极型晶体管匹配设计规则 9.4 小结 9.5 习题0章 二极管 10.1 标准双极工艺二极管 10.2 CMOS和BiCMOS工艺二极管 10.3 匹配二极管 10.4 小结 10.5 习题1章 场效应晶体管 11.1 MOS晶体管的工作原理 11.2 构造CMOS晶体管 11.3 浮栅晶体管 11.4 JFET晶体管 11.5 小结 11.6 习题2章 MOS晶体管的应用 12.1 扩展电压晶体管 12.2 功率MOS晶体管 12.3 MOS晶体管的匹配 12.4 MOS晶体管的匹配规则 12.5 小结 12.6 习题3章 一些专题 13.1 合并器件 13.2 保护环 13.3 单层互连 13.4 构建焊盘环 13.5 ESD结构 13.6 习题4章 组装管芯 14.1 规划管芯 14.2 布局 14.3 顶层互连 14.4 小结 14.5 习题附录A 缩写词汇表附录 B 立方晶体的米勒指数附录C 版图规则实例附录D 数学推导附录E 版图编辑软件的出处
作者介绍
作者:(美)黒斯廷斯;张为 等 译者:张为 等
序言

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