硅集成电路工艺基础
￥ 11.28 2.2折 ￥ 52 九五品
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作者关旭东
出版社北京大学出版社
ISBN9787301241097
出版时间2014-04
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数391页
字数99999千字
定价52元
上书时间2024-05-02
商品详情
- 品相描述：九五品
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基本信息
书名:硅集成电路工艺基础
定价：52.00元
作者:关旭东
出版社：北京大学出版社
出版日期：2014-04-01
ISBN：9787301241097
字数：546000
页码：391
版次：2
装帧：平装
开本：16开
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编辑推荐
《硅集成电路工艺基础（第二版）》非常值得推荐。
内容提要
关旭东编著的《硅集成电路工艺基础(第2版21世纪微电子学专业规划教材)》系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十一章，其中靠前章简单地讲述了硅的晶体结构和非晶体结构及其特点，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，很后两章分别讲述的是工艺集成和薄膜晶体管的制装工艺。本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。
目录
章硅晶体和非晶体1.1硅的晶体结构1.1.l晶胞1.1.2原子密度1.1.3共价四面体1.1.4晶体内部的空隙1.2晶向、晶面和堆积模型1.2.1晶向1.2.2晶面1.2.3堆积模型1.2.4双层密排面1.3硅晶体中的缺陷1.3.1点缺陷1.3.2线缺陷1.3.3面缺陷1.3.4体缺陷1.4硅中的杂质1.5杂质在硅晶体中的溶解度1.6非晶硅结构和特性1.6.1非晶硅的结构1.6.2非晶网络模型1.6.3非晶态半导体的制备方法1.6.4非晶硅半导体中的缺陷1.6.5氢化非晶硅1.6.6非晶硅半导体中的掺杂效应参考文献第二章氧化2.1SiO2的结构及性质2.1.1结构2.1.2SiO2的主要性质2.2SiO2的掩蔽作用2.2.1杂质在SiO2中的存在形式2.2.2杂质在SiO2中的扩散系数2.2.3掩蔽层厚度的确定2.3硅的热氧化生长动力学2.3.1硅的热氧化2.3.2热氧化生长动力学2.3.3热氧化SiO2生长速率2.4决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素2.4.1决定氧化速率常数的各种因素2.4.2影响氧化速率的其他因素2.5热氧化过程中的杂质再分布2.5.1杂质的再分布2.5.2再分布对硅表面杂质浓度的影响2.6初始氧化及薄氧化层的制备2.6.1快速初始氧化阶段2.6.2薄氧化层的制备2.7Si-SiO2界面特性2.7.1可动离子电荷Qm2.7.2界面陷阱(捕获)电荷Qit2.7.3SiO2中固定正电荷Qf2.7.4氧化层陷阱电荷Qot参考文献第三章扩散3.1杂质扩散机制3.1.1间隙式扩散3.1.2替位式扩散3.2扩散系数与扩散方程3.2.1菲克定律3.2.2扩散系数3.2.3菲克第二定律(扩散方程)3.3扩散杂质的分布3.3.1恒定表面源扩散3.3.2有限表面源扩散……第四章离子注入第五章物理气相淀积第六章化学气相淀积第七章外延第八章光刻工艺第九章金属化与多层互联第十章工艺集成第十一章薄膜晶体管制造工艺附录
作者介绍
关旭东，北京大学信息学院微电子系 职称：教授 研究方向：硅集成电路的设计和规划 主要作品：硅集成电路工艺基础。
序言
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【封面】
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