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纳米电子学

150 九五品

仅1件

陕西西安
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作者刘惟敏 编;薛增泉

出版社电子工业出版社

出版时间2003-10

版次1

装帧平装

货号9-3

上书时间2023-10-26

文博苑汇

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品相描述:九五品
图书标准信息
  • 作者 刘惟敏 编;薛增泉
  • 出版社 电子工业出版社
  • 出版时间 2003-10
  • 版次 1
  • ISBN 9787505392380
  • 定价 28.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 其他
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 307页
  • 字数 263千字
【内容简介】
纳米电子学是讨论纳米电子元件、电路、集成器件和信息加工的理论和技术的新学科。本书主要介绍纳米电子学的基本概念、理论和器件,讨论纳电子元件、电路、集成器件和与信息处理有关的现象、理论及实验研究方法,重点介绍单电子隧穿和弹道输运有关内容,同时也对超高密度信息存储目前的进展及我们的研究工作进行了综述。本书适合于电子学、物理学、化学、材料科学等相关交叉学科的教师、科技人员及研究生、本科生阅读参考。
【作者简介】
薛增泉,1937年5月生于吉林市。1963年7月毕业于北京大学无线电电子学系,后留校任教。1991年晋升为教授,博士生导师。先后从事阴极电子学、表面科学技术、薄膜电子学、光电功能薄膜、纳米电子学、分子电子学等教学和研究工作。发表著作有《薄膜物理》、《电子发射与电
【目录】
第1章 纳米材料和低维材料的特性

 1.1 超晶格结构

 1.2 二维电子气(2DFG)

 1.3 量子尺寸效应

 1.4 量子相干效应

 1.5 量子霍耳效应

 1.6 原子团特性

 参考文献

第2章 纳电子学的基础理论

 2.1 Landauer-Buttiker电导公式

 2.2 单电荷隧穿

 2.3 小隧道结的隧穿速率

 2.4 半导体纳米结构的库仑阻塞速率

 2.5 一维弹道结构的电导率

 2.6 几种结构的弹道输运特性

 参考文献

第3章 纳电子器件

 3.1 纳电子器件的特征

 3.2 电子共振隧穿器件 

 3.3 小隧道结电路

 3.4 单电子器件

 3.5 单电子三极管(SFT)量子信号放大

 3.6 用纳米线构造逻辑电路

 3.7 小隧道经的一维阵列

 3.8 二维(2D)结阵列中的电荷

 参考文献

第4章 用离子团束(ICB)沉积技术制备有机复合功能薄膜

第5章 超高密度数据存储的有机复合薄膜

第6章 纳电子学发展中的问题
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