集成电路工艺实验基础
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湖北武汉
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作者石建军, 郭颖主编
出版社东华大学出版社
ISBN9787566922137
出版时间2023-06
装帧其他
开本其他
定价45元
货号4393787
上书时间2024-12-04
商品详情
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目录
本书分3章, 共26个实验, 第1章为基础工艺, 包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程; 第2章为检测测量技术, 包含MOSFET 器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法 (FTIR) 测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD 器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量; 第3章为工艺基础及应用, 包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体 (ICP) 特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生 O3 及其应用的实验探索。
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