液态金属印刷半导体技术
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作者刘静, 李倩, 杜邦登著
出版社上海科学技术出版社
ISBN9787547862346
出版时间2023-07
装帧精装
开本其他
定价228元
货号4416323
上书时间2023-12-13
商品详情
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作者简介
"刘静，中国科学院理化技术研究所研究员、清华大学生物医学工程系教授。长期从事液态金属、生物医学工程与工程热物理等领域交叉科学问题研究并做出系列开创性贡献。特别是在液态金属领域取得了突破性发现和应用，成果在世界范围产生广泛影响。出版14部著作，发表论文480余篇（30余篇英文封面或封底故事）；申报发明专利200余项，已获授权130余项。曾获国际传热界优选奖之一“The William Begell Medal”、全国首届创新争先奖、中国制冷学会技术发明一等奖、ASME会刊Journal of Electronic Packaging年度专享很好论文奖等。 李倩，中国科学院理化技术研究所助理研究员。主要研究方向为：功能电子器件，半导体光电子器件，光伏器件，半导体材料，纳米材料。在液态金属柔性印刷原型器件构建等方面形成了有特色的研究体系。获得了一批国际水平的研究成果，在液态金属功能器件研究领域，特别是高性能印刷液态金属柔性半导体电子及集成电路研究方面处于前沿水平。
杜邦登，中国科学院理化技术研究所博士后，曾任航天工程大学激光推进及其应用国家重点实验室助理研究员，以及中国船舶集团有限公司第725研究所工程师。主要从事液态金属制造二维或超薄半导体材料及电子器件方面的研究。利用低温氮等离子体处理液态镓表面，实现了氮化镓薄膜材料的室温生长；通过液态镓基合金成分调控，制备出高性能的掺杂型氧化镓薄膜。以第一、共一作者身份发表系列重要论文，申请专利多项。
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目录
本书内容讲述: 经典半导体制备及器件光刻工艺通常受制于价格高昂的设备、繁琐冗长的制程及严重水电消耗。液态金属印刷半导体技术的出现, 以一种自下而上的全新方式实现了对Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多类型半导体的大面积低成本印制, 由此可快速构筑二极管、三极管、晶体管乃至集成电路和功能芯片, 这一模式打破了传统半导体制造理念与应用技术瓶颈, 正以其普惠化特点展示出巨大发展空间, 可望为芯片制造业注入新的活力。
内容摘要
经典半导体制备及器件光刻工艺通常受制于价格高昂的设备、繁琐冗长的制程及严重水电消耗。作者刘静教授带领团队研发的液态金属印刷半导体技术，以一种自下而上的全新方式实现了对Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多类型半导体的大面积低成本印制，由此可快速构筑二极管、三极管、晶体管乃至集成电路和功能芯片，这一模式打破了传统半导体制造理念与应用技术瓶颈，正以其普惠化特点展示出巨大发展空间，可望为芯片制造业注入新的活力。为促进这一新兴领域的繁荣和发展，本书旨在介绍液态金属印刷半导体技术的基本原理、典型途径和应用问题，以助力更多基础研发和工业实践，继而推动行业进步。尤其在当前我国众多半导体与芯片行业陷入严峻的卡脖子的背景下，本书的出版具有重要的现实意义。
主编推荐
"本书作者从有别于传统半导体生长技术的角度出发，于国内外首次提出了液态金属印刷电子学与印刷半导体的全新理念与技术途径，研发的有关液态金属电子制造装备及电子材料产品逐步实现了规模化工业应用及普及，正为下一代电子器件、集成电路乃至用户端芯片的快速成型打开全新视野，为半导体制造业注入新的活力。与此同时，世界范围内对半导体制造方面的竞争日趋紧张加剧，我国众多半导体与芯片行业陷入严峻的卡脖子境遇，改变现状的突破口只能通过重大理论创新与技术变革实现。本书首次系统介绍液态金属印刷半导体技术的基本思想、典型途径和应用情形，其全新理论与应用技术体系颠覆了经典制程的基本理念，开辟出了崭新的半导体与集成电路制造赛道，本书的出版将及时有力地促进我国相关行业后来居上乃至实现跨越式发展，有紧迫的现实意义。
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