现代VLSI器件基础
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湖北武汉
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作者(美) 陶元, 甯德雄著
出版社电子工业出版社
ISBN9787121380730
出版时间2020-06
装帧平装
开本其他
定价128元
货号3493992
上书时间2023-11-29
商品详情
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作者简介
黄如，理学博士，教授，中国科学院院士、发展中国家科学院院士，北京大学副校长，长期从事半导体新器件及其应用研究，主要包括低功耗新结构新原理器件、新型神经形态器件及相关技术、器件、电路可靠性与波动性、关键共性工艺等。截至2019年7月，黄如已合作出版著作5本，发表学术论文250余篇，在微电子器件领域标志性靠前会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文（自2007年以来连续12年在IEDM上发表论文32篇），多项研究成果连续被列入四个版本的靠前半导体技术发展路线图ITRS。
目录
本书旨在深度剖析影响现代VLSI器件性能的主要因素。本书首先分析了VLSI器件的基本器件物理, 这对于单个器件的参数设计是非常有帮助的; 然后本书从基础电路层面分析了器件参数对现代小尺寸VLSI器件性能的影响, 本书用大量篇幅对现代CMOS器件、双极器件参数之间的相互影响和器件参数的折中设计进行了深度分析和讨论。本书涵盖了CMOS器件和双极器件、电路相关的基本物理原理知识。
内容摘要
本书全面且深入地讲授了现代大规模集成电路（VLSI）中主流的半导体器件（CMOS器件、BJT器件等）的基本原理、高等器件物理、器件性能评估、器件设计与应用、器件缩比等一系列问题。该书在高等器件物理与实际的器件设计及其电路应用之间搭建了一座桥梁，不仅具有教科书的作用，还具有重要的应用价值。
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