薄膜制备技术基础

图书标准信息

• 作者 [日]麻蒔立男 著；陈国荣、刘晓萌、莫晓亮 译
• 出版社 化学工业出版社
• 出版时间 2009-05
• 版次 1
• ISBN 9787122045881
• 定价 39.80元
• 装帧 平装
• 开本 大32开
• 纸张 胶版纸
• 页数 336页
• 字数 292千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　本书较为系统、全面地介绍了与薄膜制备技术相关的各种基础知识，涉及了薄膜制备系统、典型的物理制膜与化学制膜方法、薄膜加工方法，以及常用的薄膜性能表征技术，同时紧密结合当前薄膜领域最先进的技术、方法和装置。
　　原外版书作者长期在薄膜科学与技术领域从事研究、开发和教育工作，有丰富的工作经验与广博的专业知识。本书自初版以来，已有三十余年，迄今已4次再版，反映了本书在这一领域具有较为深远的影响。
　　本书的内容丰富，由浅入深，对于材料科学、微电子专业学生而言是一本良好的基础教材；对于在这一领域学习、工作的人员而言，具有很好的参考价值。

【目录】

第1章薄膜技术
1．1生物计算(biocomputing)和薄膜技术
1．2医用微型机械
1．3人工脑的实现（μElectronics）
1．4大型显示的实现
1．5原子操控
1．6薄膜技术概略
参考文献

第2章真空的基础
2．1真空的定义
2．2真空的单位
2．3气体的性质
2．3．1平均速率Va
2．3．2分子直径δ
2．3．3平均自由程L
2．3．4碰撞频率Z
2．4气体的流动和流导
2．4．1孔的流导
2．4．2长管的流导（L/a≥100）
2．4．3短管的流导
2．4．4流导的合成
2．5蒸发速率
参考文献

第3章真空泵和真空测量
3．1真空泵
3．1．1油封式旋片机械泵
3．1．2油扩散泵
3．1．3吸附泵
3．1．4溅射离子泵
3．1．5升华泵
3．1．6冷凝泵
3．1．7涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵
3．1．8干式机械泵
3．2真空测量仪器——全压计
3．2．1热导型真空计
3．2．2电离真空计——电离规
3．2．3磁控管真空计
3．2．4盖斯勒（Geissler）规管
3．2．5隔膜真空计
3．2．6石英晶振真空计
3．2．7组合式真空规
3．2．8真空计的安装方法
3．3真空测量仪器——分压计
3．3．1磁偏转型质谱仪
3．3．2四极质谱仪
3．3．3有机物质质量分析IAMS法
参考文献

第4章真空系统
4．1抽气的原理
4．2材料的放气
4．3抽气时间的推算
4．4用于制备薄膜的真空系统
4．4．1残留气体
4．4．2用于制备薄膜的真空系统
4．5真空检漏
4．5．1检漏方法
4．5．2检漏应用实例
参考文献

第5章薄膜基础
5．1气体与固体
5．1．1化学吸附和物理吸附
5．1．2吸附几率和吸附（弛豫）时间
5．2薄膜的生长
5．2．1核生长
5．2．2单层生长
5．3外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系
5．3．1外延生长的温度
5．3．2基板晶体的解理
5．3．3真空度的影响
5．3．4残留气体的影响
5．3．5蒸发速率的影响
5．3．6基板表面的缺陷——电子束照射的影响
5．3．7电场的影响
5．3．8离子的影响
5．3．9膜厚的影响
5．3．10晶格失配
5．4非晶膜层
5．4．1一般材料的非晶化（非薄膜）
5．4．2非晶的定义
5．4．3非晶薄膜
5．4．4非晶Si膜的多晶化
5．5薄膜的基本性质
5．5．1电导
5．5．2电阻率的温度系数（TCR）
5．5．3薄膜的密度
5．5．4时效变化
5．5．5电解质膜
5．6薄膜的内部应力
5．7电致徙动
本章小结
参考文献

第6章薄膜的制备方法
6．1绪论
6．2源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分
6．2．1蒸发和离子镀
6．2．2溅射法
6．3附着强度
6．3．1前处理
6．3．2蒸发时的条件
6．3．3蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况）
6．3．4蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况）
6．4台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备
6．5高速热处理装置（RapidThermalAnnealing，RTA）
6．6等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用
6．6．1等离子体
6．6．2等离子体的产生方法
6．6．3基本形式和主要用途
6．7基板传送机构
6．8针孔和净化房
参考文献

第7章基板
7．1玻璃基板及其制造方法
7．2日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长
7．3单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长
7．3．1坩埚中冷却法
7．3．2区熔法（ZoneMelting，FlotZone，FZ法）
7．3．3旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski，CZ法）
7．4气相生长法
7．4．1闭管中的气相生长法
7．4．2其他气相生长法
7．5石英玻璃基板
7．6柔性基板（Flexible）
参考文献

第8章蒸镀法
8．1蒸发源
8．1．1电阻加热蒸发源
8．1．2热阴极电子束蒸镀源
8．1．3中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源
8．2蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置
8．3实际装置
8．4蒸镀时的真空度
8．5蒸镀实例
8．5．1透明导电膜In2O3SnO2系列
8．5．2分子束外延（MBE）
8．5．3合金的蒸镀——闪蒸
8．6离子镀
8．6．1离子镀的方式
8．6．2对薄膜的影响
8．7离子束辅助蒸镀
8．8离子渗，离子束表面改性法
8．9激光烧蚀法（PLA）
8．10有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀
参考文献

第9章溅射
9．1溅射现象
9．1．1离子的能量和溅射率，出射角分布
9．1．2溅射率
9．1．3溅射原子的能量
9．2溅射方式
9．2．1磁控溅射
9．2．2ECR溅射
9．2．3射频溅射
9．3大电极磁控溅射
9．4“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋
9．4．1准直溅射
9．4．2长距离溅射
9．4．3高真空溅射
9．4．4自溅射
9．4．5离子化溅射
9．5溅射的实例
9．5．1钽（Ta）的溅射
9．5．2Al及其合金的溅射（超高真空溅射）
9．5．3氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜
9．5．4磁性膜的溅射
9．5．5光学膜的溅射（RAS法）
参考文献

第10章气相沉积CVD和热氧化氮化
10．1热氧化
10．1．1处理方式
10．1．2热氧化装置
10．1．3其他氧化装置
10．2热CVD
10．2．1主要的生成反应
10．2．2热CVD的特征
10．2．3热CVD装置
10．2．4反应炉
10．2．5常压CVD（NormalPressureCVD，NPCVD）
10．2．6减压CVD（LowPressureCVD，LPCVD）
10．3等离子体增强CVD（PlasmaEnhancedCVD，PCVD）
10．3．1等离子体和生成反应
10．3．2装置的基本结构和反应室的电极构造
10．4光CVD（PhotoCVD）
10．5MOCVD（MetalorganicCVD）
10．6金属CVD
10．6．1钨CVD
10．6．2AlCVD
10．6．3CuCVD
10．6．4金属阻挡层（TiNCVD）
10．7半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD）
10．8高介电常数薄膜的CVD
10．9低介电常数薄膜
10．10高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD）
10．11游离基喷淋CVD（RadicalShowerCVD，RSCVD）
参考文献

第11章刻蚀
11．1湿法刻蚀
11．2等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀）
11．2．1原理
11．2．2装置
11．2．3配套工艺
11．3反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀）
11．3．1原理和特征
11．3．2装置
11．3．3配套工艺
11．3．4Cu和低介电材料（lowK）的刻蚀
11．4大型基板的刻蚀
11．5反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀）
11．5．1极细离子束设备（聚焦离子束：FocusedIonBeam，FIB）
11．6微机械加工
11．7刻蚀用等离子体源的开发
11．7．1等离子体源
11．7．2高密度等离子体（HDP）刻蚀
参考文献

第12章精密电镀
12．1电镀
12．2电镀膜的生长
12．3用于制作电子元器件方面的若干方法
12．4用于高技术的铜电镀
12．5实用的电镀装置示例
参考文献

第13章平坦化技术
13．1平坦化技术的必要性
13．2平坦化技术概要
13．3平坦薄膜生长
13．3．1选择性生长
13．3．2利用回填技术的孔内嵌埋（溅射）
13．3．3利用氧化物嵌埋技术的平坦化
13．4薄膜生长过程中凹凸发生的防止
13．4．1偏压溅射法
13．4．2剥离法
13．5薄膜生长后的平坦化加工
13．5．1涂覆
13．5．2激光平坦化
13．5．3回填法
13．5．4回蚀法
13．5．5阳极氧化和离子注入
13．6嵌埋技术示例
13．7化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）技术
13．8嵌刻法
13．9平坦化新技术展望
13．9．1使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术
13．9．2用STP（SpinCoatingFilmTransferandPressing）法的嵌埋技术
13．10高密度微细连接
参考文献