集成电路设计导论

图书标准信息

• 作者 罗萍、张为 著
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2010-05
• 版次 1
• ISBN 9787302218982
• 定价 35.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 其他
• 页数 325页
• 字数 507千字

【内容简介】

本书是集成电路领域相关专业的一本人门性教材，主要介绍与集成电路设计相关的一些基础知识。全书共分10章，以集成电路设计为核心，全面介绍现代集成电路技术。内容主要包括半导体材料与器件物理、集成电路制造技术、典型数字模拟集成电路、现代集成电路设计技术与方法学、芯片的封装与测试等多方面的知识。本书主要涉及采用硅衬底、CMOS工艺制造的集成电路芯片技术，也简单介绍了集成电路发展的趋势。
本书可作为高等院校集成电路、微电子、电子、通信与信息等专业本科高年级和硕士研究生的教材或相关领域从业人员的参考书籍。

【目录】

第1章绪论
1.1集成电路的基本概念
1.1.1集成电路的定义
1.1.2集成电路的发展史
1.1.3集成电路的分类
1.2集成电路的设计与制造流程
1.2.1集成电路的设计流程
1.2.2集成电路制造的基本步骤
1.2.3集成电路工艺技术水平衡量指标
1.3集成电路的发展
1.3.1国际集成电路的发展
1.3.2我国集成电路的发展
复习题
参考文献
第2章集成电路制造
2.1集成电路制造的基本要素
2.1.1集成电路制造的基本要求
2.1.2标准生产线的几大要素
2.2主要制造工艺
2.2.1集成电路制造的基本流程
2.2.2制造集成电路的材料
2.2.3硅片制备
2.2.4氧化
2.2.5淀积
2.2.6光刻
2.2.7刻蚀
2.2.8离子注入
2.3CMOS工艺流程
2.3.1基本工艺流程
2.3.2闩锁效应及其预防措施
2.4工艺评估
2.4.1晶圆的电性测量
2.4.2层厚的测量
2.4.3污染物和缺陷检查
复习题
参考文献
第3章MOSFET
3.1MOSFET的结构与特性
3.1.1MOSFET结构
3.1.2MOSFET电流-电压特性
3.1.3MOSFET开关特性
3.2短沟道效应
3.2.1载流子速率饱和及其影响
3.2.2阈值电压的短沟道效应
3.2.3迁移率退化效应
3.2.4倍增和氧化物充电
3.3按比例缩小理论
3.4MOSFET电容
3.5MOS器件SPICE模型
3.5.11.EVEI-1模型
3.5.2LEVEL2模型
3.5.3LEVEL3模型
复习题
参考文献
第4章基本数字集成电路
4.1CMOS反相器
4.1.1CMOS反相器结构与工作原理
4.1.2静态特性
4.1.3动态特性
4.1.4功耗
4.2典型组合逻辑电路
4.2.1带耗尽型NMOS负载的MOS逻辑电路
4.2.2CMOS逻辑电路
4.2.3CMOS传输门
4.3典型CMOS时序逻辑电路
4.3.1RS锁存器
4.3.2D锁存器和边沿触发器
4.3.3施密特触发器
4.4扇入扇出
4.5互联线电容与延迟
4.6存储器
4.6.1存储器的结构与ROM阵列
4.6.2静态存储器SRAM
4.6.3动态存储器DRAM
复习题
参考文献
第5章模拟集成电路基础
5.1模拟集成电路种类及应用
5.1.1运算放大器
5.1.2A／D、D／A变换器
5.1.3RF集成电路
5.1.4功率集成电路
5.2单管放大电路
5.2.1共源极放大器
5.2.2共射极放大器
5.2.3共漏极放大器（源随器）
5.2.4共集电极放大器（射随器）
5.2.5共栅极放大器
5.2.6共基极放大器
5.3多管放大电路
5.3.1BJT组合放大器
5.3.2MOS场效应晶体管串级放大电路
5.3.3差分放大器
5.4电流源和电压基准源
5.4.1电流源
5.4.2电压基准源
5.5典型运算放大器
5.6模拟集成电路设计基本步骤
复习题
参考文献
第6章集成电路设计简介
第7章VLSI的EDA设计方法
第8章集成电路版图设计
第9章测试技术
第10章集成电路封装
参考文献