高级信号完整性技术

图书标准信息

• 作者 [美]霍尔（Stephen H.Hall）、[美]赫克（Howard L.Heck） 著；张徐亮、鲍景富、张雅丽 译
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2011-01
• 版次 1
• ISBN 9787121126741
• 定价 49.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 427页
• 字数 704千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 国外电子与通信教材系列

【内容简介】

随着计算机技术的不断发展，以往数字设计中一些可以忽略的因素，在高速数字设计中变成了影响系统性能的重要因素。只有全面理解和把握这些因素，才能设计出满足性能要求的高速数字电路。《高级信号完整性技术》从应用物理、通信以及微波理论的角度，对高速数字设计中的高级信号完整性进行了探讨和分析，涵盖了当今最新的研究成果，是目前信号完整性方面较全面、较先进的书籍。全书共分14章，内容包含了与信号完整性相关的电磁场理论、理想传输线模型、串扰、网络分析、高速信道模型、时延扰动和噪声模型等。
《高级信号完整性技术》的主要特色是用大量的图表，以理论和实践完美结合的方式将诸如应用物理、通信和微波工程等学科的理论和技术引入高速数字设计，有助于工程师或者高校学生们对数字设计中信号完整性的理解和把握。
《高级信号完整性技术》适用于高等院校本科或研究生教学、半导体行业专业工程师培训，以及高速数字设计人员的参考书。

【作者简介】

StephenH.Hall,Interl公司高级工程师，他带领的团队专注于研究30吉他比特信道的建模新技术和测试解决方案。
HowardL.Heck，Interl公司的首席工程师。

【目录】

第1章简介：信号完整性的重要性
1.1计算能力：过去和未来
1.2问题
1.3基础
1.4总线设计的新领域
1.5本书适用对象
1.6小结
错误声明
参考文献

第2章信号完整性的电磁学基础
2.1麦克斯韦方程组
2.2常见向量算子
2.3波的传播
2.4静电学
2.5静磁学
2.6能流和玻印亭向量
2.7电磁波的反射
参考文献
习题

第3章理想传输线基础
3.1传输线结构
3.2无损传输线上信号传播
3.3传输线特性参数
3.4无损传输线参数
3.5传输线反射
3.6时域反射计
参考文献
习题

第4章串扰
4.1互感与互容
4.2耦合波动方程
4.3耦合线路分析
4.4模态分析
4.5串扰最小化
4.6小结
参考文献
习题

第5章非理想导体模型
5.1信号在无边界导电介质中传播
5.2传输线的经典导体模型
5.3表面粗糙度
5.4非理想导体的传输线参数
参考文献
习题

第6章电介质的电气特性
6.1电介质极化
6.2电介质材料的分类
6.3频率相关的电介质行为
6.4物理电介质模型的特性
6.5纤维交织效应
6.6环境变化对电介质行为的影响
6.7有损电介质和实际导体的传输线参数
参考文献
习题

第7章差分信号
7.1消除共模噪声
7.2差分串扰
7.3虚参考平面
7.4模态电压的传输
7.5常用术语
7.6差分信号的缺陷
参考文献
习题

第8章物理信道的数学要求
8.1时域仿真中的频域效应
8.2物理信道的要求
参考文献
习题

第9章数字工程的网络分析
9.1高频电压和电流波
9.2网络理论
9.3S参数的物理性质
参考文献
习题

第10章关于高速信道建模的讨论
10.1建立传输线的物理模型
10.2非理想返回路径
10.3通孔
参考文献
习题

第11章I/O电路和模型
11.1I/O设计考虑因素
11.2推挽式发射机
11.3CMOS接收机
11.4ESD保护电路
11.5片上终端匹配
11.6伯杰图
11.7漏极开路发射机
11.8差分电流模式发射机
11.9低摆幅和差分接收机
11.10IBIS模型
11.11小结
参考文献
习题

第12章均衡
12.1分析与设计背景
12.2连续时间线性均衡器
12.3离散线性均衡器
12.4决策反馈均衡
12.5小结
参考文献
习题

第13章时序抖动和噪声的建模及其容许值
13.1眼图
13.2误码率
13.3抖动源及其容许值
13.4噪声源及噪声容许值
13.5峰值畸变分析法
13.6小结
参考文献
习题

第14章用响应曲面模型进行系统分析
14.1模型设计的注意事项
14.2案例分析：10Gb/s差分PCB接口
14.3基于最小方差拟合的RSM
14.4拟合测量
14.5重要性测试
14.6置信区间
14.7敏感度分析及设计优化
14.8用蒙特卡罗仿真方法预测次品率
14.9RSM的其他考虑
14.10小结
参考文献
习题
附录A常用公式、恒等式、单位和常数
附录B四端口网络的T参数到S参数转换
附录C电路的F统计量
附录D电路的T统计量
附录E粗糙导体的趋肤电阻与内部电感的因果关系
附录F0.25μmMOSIS工艺的SPICELevel3模型
中英文术语对照