半导体物理基础

图书标准信息

• 作者 黄昆、韩汝琦 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2010-08
• 版次 1
• ISBN 9787030287281
• 定价 68.00元
• 装帧 平装
• 开本 32开
• 纸张 胶版纸
• 页数 292页
• 字数 357千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 中国科学技术经典文库·物理卷

【内容简介】

　　《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。本书是黄昆先生重要著作，作为经典文库丛书再次出版。

【目录】

前言
第1章掺杂半导体的导电性
1.1掺杂和载流子
1.2电导率和电阻率
1.3迁移率
1.4测量电阻率的四探针方法
1.5扩散薄层的方块电阻

第2章能级和载流子
2.1量子态和能级
2.2多子和少子的热平衡
2.3费米能级
2.4电子的平衡统计分布规律
2.5非平衡载流子的复合
2.6非平衡载流子的扩散

第3章pn结
3.1pn结的电流一电压关系
3.2空间电荷区中的复合和产生电流
3.3晶体管的电流放大作用
3.4高掺杂的半导体和pn结
3.5pn结的击穿
3.6pn结的电容效应
3.7金属一半导体接触

第4章半导体表面
4.1表面空间电荷区及反型层
4.2MIS电容器——理想C（V）特性
4.3实际MIs电容器的c（V）特性及应用
4.4硅一二氧化硅系统的性质
4.5MOs场效应晶体管
4.6电荷耦合器件

第5章晶格和缺陷
5.1晶格
5.2空位和间隙原子
5.3位错
5.4层错
5.5相变和相图