半导体器件原理与技术

图书标准信息

• 作者 文常保、南世广、李演明 编
• 出版社 人民交通出版社
• 出版时间 2016-09
• 版次 1
• ISBN 9787114130991
• 定价 39.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 273页
• 正文语种 简体中文
• 丛书 普通高等教育规划教材

【内容简介】

　　《半导体器件原理与技术》主要介绍半导体物理基础、二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、无源器件、器件SPICE模型、半导体工艺技术、半导体工艺仿真、薄膜制备技术、半导体封装技术和半导体参数测试技术等微电子技术领域的基本内容？这些内容为进一步掌握新型半导体器件和集成电路分析、设计、制造、测试的基本理论和方法奠定了坚实的基础？《半导体器件原理与技术》可作为电子信息类电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路与集成系统、光电信息科学与工程、电子信息工程等专业的本科学生和相关研究生的专业课程教材？也可作为相近专业工程技术人员的自学和参考用书。

【目录】

第1篇 半导体物理及器件

第1章 半导体物理基础
1．1 半导体材料
1．2 半导体的结构
1．3 半导体的缺陷
1．4 半导体的能带
1．5 费米能级
1．6 半导体的载流子浓度
1．7 半导体的载流子运动
习题
参考文献

第2章 二极管
2．1 二极管的基本结构
2．2 pn结的形成及杂质分布
2．3 平衡pn结
2．4 二极管的偏压特性
2．5 二极管直流特性的影响因素
2．6 二极管的击穿特性
2．7 二极管的开关特性
习题
参考文献

第3章 双极型晶体管
3．1 双极型晶体管概述
3．2 双极型晶体管的基本结构
3．3 双极型晶体管的放大作用
3．4 双极型晶体管的特性曲线
3．5 反向电流及击穿电压特性
3．6 基极电阻
3．7 双极型晶体管的开关特性
习题
参考文献

第4章 MOS场效应晶体管
4．1 MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理和分类
4．2 MOS场效应晶体管的阈值电压
4．3 MOS场效应晶体管的直流特性
4．4 MOS场效应晶体管的小信号参数和频率特性
4．5 MOS场效应晶体管的二级效应
4．6 MOS场效应晶体管的开关特性
习题
参考文献

第5章 无源器件
5．1 概述
5．2 嵌入式无源器件
5．3 集成无源器件
5．4 集成电阻
5．5 集成式电容
5．6 集成式电感
习题
参考文献

第6章 器件SPICE模型
6．1 SPICE器件模型概述
6．2 二极管SPICE模型
6．3 双极型晶体管的SPICE模型
6．4 MOS场效应晶体管SPICE模型
6．5 无源器件SPICE模型
习题
参考文献