硅通孔3D集成技术
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江苏无锡
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作者John H.Lau 著
出版社科学出版社
ISBN9787030393302
出版时间2014-01
装帧平装
开本其他
定价150元
货号1200837379
上书时间2024-12-08
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作者简介
该书作者是JohnH.Lau,Ph.D.,P.E.,IEEEFellow,ASMEFellow,ITRIFellow，国际领域著名的专家，在硅基设计方面的权威。随着微处理器发展技术，功耗和摩尔已经限制了其发展。未来的3D设计解决传统平面的有效途径。目前国内的专家都是师承lau,是受其启发开始研究的。该书是作者2013年的最新力作，得到了国内学术界，如李乐民院士、李广军教授等强烈关注。是该领域的第一部详尽的著作。同时也是国家十二五，核高基重点突破的领域，具有重要的借鉴价值和意义
目录
序
前言
致谢
导读
第1章 半导体工业的纳米技术和三维（3D）集成技术
1.1 引言
1.2 纳米技术
1.2.1 纳米技术起源
1.2.2 纳米技术重要的里程碑
1.2.3 石墨烯与电子工业
1.2.4 纳米技术的展望
1.2.5 摩尔定律：电子工业的纳米技术
1.3 三维集成技术
1.3.1 硅通孔（TSV）技术
1.3.2 三维集成技术的起源
1.4 三维硅集成技术的挑战和展望
1.4.1 三维硅集成技术
1.4.2 三维硅集成键合组装技术
1.4.3 三维硅集成技术面临的挑战
1.4.4 三维硅集成技术的展望
1.5 三维集成电路（3DIC）集成技术的潜在应用和挑战
1.5.1 3DIC集成技术的定义
1.5.2 移动电子产品的未来需求
1.5.3 带宽和wideI／O的定义
1.5.4 储存器的带宽
1.5.5 存储器芯片堆叠
1.5.6 wideI／O存储器
1.5.7 wideI／O动态随机存储器（DRAM）
1.5.8 wideI／O接口
1.5.9 2.5 D和3DIC集成（有源和无源转接板）技术
1.6 2.5 DIC最新进展（转接板）技术的最新进展
1.6.1 用作中间基板的转接板
1.6.2 用作应力释放（可靠性）缓冲层的转接板
1.6.3 用作载板的转接板
1.6.4 用作热管理的转接板
1.7 三维集成TSV无源转接板技术发展的新趋势
1.7.1 双面贴装空腔式转接板技术
1.7.2 有机基板开孔式转接板技术
1.7.3 设计案例
1.7.4 带有热塞或散热器的有机基板开孔式转接板技术
1.7.5 超低成本转接板技术
1.7.6 用于热管理的转接板技术
1.7.7 对于三维光发射二极管（LED）和SiP有埋入式微流道的转接板
1.8 埋人式3DIC集成
1.8.1 带应力释放间隙的半埋入式转接板
1.8.2 用于光电互连的埋入式三维混合IC集成技术
1.9 总结与建议
1.10 TSV专利
1.11 参考文献
1.12 其他阅读材料
1.12.1 TSV、3D集成和可靠性
1.12.2 3DMEMS和IC集成
1.12.3 半导体IC封装
第2章 硅通扎（TSV）技术
第3章 硅通孔（BV）：机械、热和电学行为
第4章 薄晶圆强度测量
第5章 薄晶圆拿持技术
第6章 微凸点制作、组装和可靠性
第7章 微凸点的电迁移
第8章 瞬态液相键合：芯片到芯片（C2C），芯片到晶圆（C2W），晶圆到晶圆（W2W）
第9章 三维集成电路集成的热管理
第10章 三维集成电路封装
第11章 三维集成的发展趋势
索引
内容摘要
《信息科学技术学术著作丛书.硅通孔3D集成技术》由John H.Lau
主编推荐
《信息科学技术学术著作丛书:硅通孔3D集成技术》适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成研究工作的工程师、技术研发人员、技术管理人员和科研人员阅读，也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生的教材
精彩内容
For the purpose of realizing thermal stress distributions and the interfacial ERR in TSVs, a 3D finite-element model of a symmetric single in-line TSV is constructed to be simulated. Two kinds of horizontal cracks that embed in the interface of SiO2 passivation and the Cu seed layer (Cu pad and TSV wall delamination cases) are also introduced to estimate the interfacial ERR by using a MVCC technique [15-17]. All the material properties are assumed to be linear elastic except for Cu TSVs which are treated as nonlinear materials to have precisely thermal stresses in this test vehicle. To capture the most important geometric parameters in TSVs, the design of experiment (DOE)analysis is employed to emphasize the significance of crack length,TSV diameter, TSV pitch, depth of TSV, SiO2 thickness, and Cu seed-layer thickness. The proposed results will be useful if design optimization for keeping the delamination off of TSVs in 3D IC integration is needed.
3.3.2 Nonlinear Thermal Stress Analyses for TSVs
Because thermal effects are always seen in 3D IC integration and have a prominent influence not only on temperature distribution but also on stress distribution, the problems of thermal-induced stress become critical reliability issues in the industry. For the sake of examining thermal stress distributions in TSV structures in 3D IC integration, 3D finite-element modeling (FEM) with the computational finite-element software ANSYS is employed. An electroplated copper TSV (EP-Cu TSV) is simulated to evaluate the thermal stress distribution and interfacial delamination behavior. The EP-Cu TSV FEM is designed as a TSV blanketed with an SiO2 passivation layer and filled with EP-Cu, which is sputtered Cu as a seed layer covered on SiO2. Figure 3.10 shows a schematic of a symmetric single in-line TSV and Fig
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