半导体物理能手册

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江苏无锡

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作者无著作足立贞夫主编

出版社哈尔滨工业大学出版社

ISBN9787560345161

出版时间2014-04

装帧平装

开本16开

定价148元

货号1200926335

上书时间2024-11-19

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商品描述: 目录
PrefaceAcknowledgments
Contents of Other Volumes
1 Cubic Boron Nitride (c-BN)
1.1 Structural Properties
1.1.1 Ioniciyt
1.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
1.1.3 Crystal Structure and Space Group
……
2 Hexagonal Boron Nitride (h-BN)
3 Boron Phosphide (BP)
4 Boron Arsenide (BAs)
5 Wurtzite Aluminum Nitride (w-AIN)
6 Cubic Aluminum Nitride (c-AIN)
8 Aluminum Arsenide (AIAs)
9 Aluminum Antimonide (AISb)

内容摘要
足立贞夫编著的《半导体物理性能手册(第2卷上 )》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：结构特性、热学性质、弹性性质、声子与晶格振动性质、集体效应及相关性质、能带结构：能带隙、能带结构：电子和空穴的有效质量、电子形变势、电子亲和能与肖特基势垒高度、光学性质、弹光、电光和非线性光学性质、载流子输运性质。

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