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igbt疲劳失效机理及其健康状态监测电子、电工肖飞等新华正版

igbt疲劳失效机理及其健康状态监测，马伟明院士作序！

33.9 5.7折 59 全新

库存6件

江苏无锡

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作者肖飞等

出版社机械工业出版社

ISBN9787111634072

出版时间2019-11

版次1

装帧平装

开本B5

页数232页

字数292千字

定价59元

货号xhwx_1201982884

上书时间2024-01-19

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商品详情

品相描述：全新: 正版特价新书

商品描述: 目录：

序
前言
章绪论
1.1 igbt失效机理
1.1.1 igbt缺陷失效
1.1.2 igbt失效
1.1.3 igbt疲劳失效
1.2 igbt健康状态监测方
1.2.1 基于igbt结温的健康状态监测方
1.2.2 基于igbt导通电阻与热阻的健康状态监测方
1.2.3 基于igbt寿命预测的健康状态监测方
1.3 研究现状小结
1.3.1 igbt失效机理研究方面
1.3.2 igbt健康状态监测方研究方面
1.4 本书的主要内容及章节安排
参文献
第2章 igbt器件及其工作机理
2.1 igbt基本结构
2.2 igbt制造工艺
2.3 igbt工作机理
2.4 igbt发展历程
2.5 本章小结
参文献
第3章 igbt失效模式及其失效机理
3.1 igbt主要应用对象及其工作特点
3.2 igbt主要失效模式与失效机理
3.2.1 igbt缺陷失效模式与机理分析
3.2.2 igbt失效模式与机理分析
3.2.3 igbt疲劳失效模式与机理分析
3.3 疲劳失效实验方
3.3.1 igbt电热应力与功率循环疲劳老化
3.3.2 igbt疲劳老化变异特征检测与分析
3.3.3 igbt疲劳老化特综合记录处理
3.4 本章小结
参文献
第4章与芯片相关的疲劳失效机理
4.1 界面疲劳失效机理
4.1.1 栅极al-sio2界面
4.1.2 栅极si-sio2界面
4.1.3 发极al-si界面
4.2 硅材料疲劳失效机理
4.3 本章小结
参文献
第5章与封装相关的疲劳失效机理
5.1 al金属薄膜电迁移效应分析
5.2 电化学腐蚀分析
5.3 al金属层表面重构分析
5.3.1 表面重构原因
5.3.2 表面重构机理
5.4 芯片与衬底焊料层疲劳失效
5.4.1 焊料层疲劳失效微观观测分析方
5.4.2 器件各层温度场实验测量
5.4.3 焊料层疲劳失效机理
5.5 键丝疲劳与翘起失效
5.5.1 键丝根部断裂疲劳失效机理
5.5.2 键丝焊盘剥离疲劳失效
5.5.3 键丝与焊料层两种主要失效模式之间的耦合关系分析
5.6 本章小结
参文献
第6章基于芯片疲劳失效机理的健康状态监测方
6.1 基于阈值电压的igbt健康状态监测方
6.1.1 igbt阈值电压疲劳变化规律建模与分析
6.1.2 igbt阈值电压健康状态监测方
6.2 基于集电极漏电流的igbt健康状态监测方
6.2.1 igbt集电极漏电流疲劳变化规律建模与分析
6.2.2 igbt集电极漏电流健康状态监测方
6.3 基于关断时间的igbt健康状态监测方
6.3.1 igbt关断时间疲劳变化规律建模与分析
6.3.2 igbt关断时间健康状态监测方
6.4 本章小结
参文献
第7章基于封装疲劳失效机理的健康状态监测方
7.1 基于热阻的igbt健康状态监测方
7.1.1 焊料层空洞有限元建模及其对热阻的影响
7.1.2 基于热阻的igbt健康状态监测方
7.2 基于集极饱和压降的igbt健康状态监测方
7.2.1 igbt集极饱和压降随封装疲劳的变化规律
7.2.2 基于集极饱和压降的igbt健康状态监测方
7.3 基于结温的igbt健康状态监测方
7.3.1 基于igbt关断电压变化率的结温监测方
7.3.2 基于igbt损耗与传热特征的结温预测方
7.3.3 基于结温的igbt失效判据与寿命预测方
7.4 本章小结
参文献

内容简介：

igbt疲劳失效机理及其健康状态监测通过详细分析igbt芯片与封装疲劳失效机理，在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上，通过将理论分析与解析描述相结合，建立了igbt相关电气特征量的健康状态监测方，对处于不同寿命阶段的igbt器件健康状态进行有效评估。igbt疲劳失效机理及其健康状态监测可作为从事电力电子技术理论与工程的技术人员的参书，也可作为电力电子与电力传动专业的本科生、硕士和博士，以及从事电力电子器件方面研究的师生与研究人员的参书。